Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/10002
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorPoplavko, Y. M.-
dc.contributor.authorYakimenko, Y. I.-
dc.contributor.authorПоплавко, Ю. М.-
dc.contributor.authorЯкименко, Ю. І.-
dc.contributor.authorПоплавко, Ю. М.-
dc.contributor.authorЯкименко, Ю. И.-
dc.date.accessioned2014-12-25T17:22:25Z-
dc.date.available2014-12-25T17:22:25Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationPoplavko Y. M. Pyroelectric Response of Strain Limited III-V Semiconductor / Y. M. Poplavko, Y. I. Yakimenko // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 6(77). – С. 9–15. – Библиогр.: 4 назв.uk
dc.identifier.urihttp://ela.kpi.ua/handle/123456789/10002-
dc.language.isoenuk
dc.subjectpyroelectric sensoren
dc.subjectpiezoelectric sensoren
dc.subjectІII-V semiconductorsen
dc.subjectпіроелектричний сенсорuk
dc.subjectп'єзоелектричний сенсорuk
dc.subjectнапівпровідники АIIIBVuk
dc.subjectпироэлектрический сенсорru
dc.subjectпьезоэлектрический сенсорru
dc.subjectполупроводники АIIIBVru
dc.titlePyroelectric Response of Strain Limited III-V Semiconductoruk
dc.title.alternativeПіровідгук у напівпровідниках групи АIIIВV в умовах обмеження їх деформаціїuk
dc.title.alternativeПироотклик в полупроводниках группы АIIIВV в условиях ограничения их деформацииuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk
dc.format.pagerangePp. 9-15uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.source.nameElectronics and Communications: научно-технический журналuk
dc.subject.udc539.2 620.9uk
dc.description.abstractukПоказано, що скалярний тепловий вплив може викликати піроелектрику в п'єзоелектричних класах полярних кристалів, і найважливіше застосування цього ефекту очікується у напівпровідниках-п'єзоелектриках групи АIIIВV. Штучний піроелектричний ефект визначається як механічно індукована поляризація в частково затиснутому п'єзоелектрику, підданому рівномірному нагріванню. Часткове затискання створюється неоднорідними граничними умовами, які обмежують теплову деформацію п'єзоелектричного кристала, забезпечуючи створення в ньому рівномірно але не ізотропно напруженого стану. Обмеження планарною деформації в площині (111) пластини або мембрани з напівізолюючих кристалів типу АIIIВV відкриває можливості розробки нового типу мікроелектронних датчиків. Вони можуть мати переваги в порівнянні з гібридними «діелектрик - напівпровідник» датчиками і напівпровідниковими датчиками, яким необхідно охолодження.uk
dc.description.abstractenUnder the anisotropy of boundary conditions, a high-gap III-V semiconductor indicates a behavior of pyroelectric crystal (in spite of it is a piezoelectric only). Partial limitation of strain in the [111]-plate of this crystal provides its substantial electric response to time-variation of temperature dT(t) or pressure dp(t). Herewith the voltage sensitivity of semi-insulating GaAlAs or GaN sensor is close to one of the PZT ceramics. However, PZT cell-transducer used as sensor device needs a hybrid integration with semiconductor amplifier. Unlike of this, if sensor device is based on the III-V crystal, transducer and amplifier are various parts of one crystal chip.uk
dc.description.abstractruПоказано, что скалярные тепловое воздействие может вызвать пироэлектричество в пьезоэлектрических классах полярных кристаллов, и самое важное применение этого эффекта ожидается полупроводниках-пьезоэлектриках группы АIIIВV. Искусственный пироэлектрический эффект определяется как механически индуцированная поляризация в частично зажатом пьезоэлектрике, подвергнутому равномерному нагреву. Частичное зажатие создается неоднородными граничными условиями, которые ограничивают тепловую деформацию пьезоэлектрического кристалла, обеспечивая создание в нем равномерного но не изотропного напряженного состояния. Ограничение планарной деформации в плоскости (111) пластины или мембраны из полуизолирующих кристаллов типа АIIIВV открывает возможности разработки нового типа микроэлектронных датчиков. Они могут иметь преимущества по сравнению с гибридными датчиками типа «диэлектрик-полупроводник» и полупроводниковыми датчиками, которым необходимо охлаждение.uk
dc.publisherНТУУ "КПИ"uk
Appears in Collections:Electronics and Communications: научно-технический журнал, № 6(77)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3.pdf228.17 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.