Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/12670
Title: Створення енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці, середовищ та пристроїв перспективної універсальної електронної пам’яті
Other Titles: Опрацювання процесів осадження та травлення нанорозмірних сегнетоелектричних плівок та електродних шарів
Розроблення математичних та комп’ютерних моделей для засобів автоматизованого проектування сегнетоелектричних запам’ятовуючих елементів та пристроїв
Authors: Мартинюк, Я.
Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут»
Keywords: сегнетоелектричні плівки
запам’ятовуючі елементи та пристрої
технологія
моделювання
проектування
Issue Date: 2014
Publisher: Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут»
Citation: Створення енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці, середовищ та пристроїв перспективної універсальної електронної пам’яті : звіт про НДР (заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. Я. Мартинюк. - К., 2014. - 119 л. + CD-ROM. - Д/б №2666-п
Abstract: Звіт по НДР: 119 стор., 35 табл., 46 рис., 99 джерел. Об’єкт дослідження: енергонезалежні запам’ятовуючі пристрої на основі сегнетоелектричних матеріалів, суміщених з напівпровідниковими структурами, для використання в якості універсальної електронної пам’яті. Метою роботи є створення технології проектування та виготовлення середовищ енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці з руйнівним та неруйнівним зчитуванням зі структурами конденсатор – транзистор та транзистор з сегнетоелектричним затвором для універсальної електронної пам’яті, які не поступаються за розмірами елементам динамічної пам’яті та флеш. В мету роботи також входить створення основ технології осадження та іонного травлення сегнетоелектричних плівок та електродних контактних шарів. Розроблено засоби і технологія проектування та виготовлення енергонезалежних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці та пристроїв на основі масивів конденсаторів, об’єднаних в матричний накопичувач. Опрацьовано метод та засоби ВЧ плазмового розпилення монолітних керамічних мішеней на основі сполук з оксидів цирконію, титану, свинцю в напрямку зменшення товщини плівки з різними типами матеріалів електродних шарів. Отримано плівку цирконату-титанату свинцю 30-50 нм з покращеними властивостями на електродних шарах Co0,7Ni0,3O1+δ на основі розроблених автономних магнетронних та ВЧ-діодних джерел розпилення та реактивного осадження компонентів сегнетоелектричної плівки з ультразвуковою стимуляцією на нерухомі та рухомі підкладки. Створені джерела забезпечують побудову компактних систем пошарового реактивного осадження на підкладки великих розмірів, а також спрощення одночасного використання постійного та НЧ струму у ВЧ процесі для управління швидкістю осадження окремих компонентів та їх сполук з киснем. Розроблено експериментальний зразок запам’ятовуючого пристрою з сегнетоелектричних конденсаторів, об’єднаних в матричний накопичувача ємністю 256 біт. Створено математичну модель пристрою, виконано комп’ютерне моделювання та досліджено швидкодію запису і зчитування та стійкість збереження інформації для створеного методу запису з рівнем перешкод в 1/4 частину сигналу запису. Запропонований метод запису забезпечує швидкодію запису, зчитування в 10-100 нс та стійкість збереження в 10*9-10*12 циклів запису, що підтверджує можливість побудови на матрицях з сегнетоєлектричних конденсаторів пристроїв зовнішньої пам’яті по швидкодії наближених до оперативної.
Gov't Doc #: 0113U002097
URI: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/12670
Other Identifiers: КВНТД I.2 12.13.05
Д/б №2666-п
Appears in Collections:Звіти про науково-дослідні роботи

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2666-п.doc
  Restricted Access
9.21 MBMicrosoft WordView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.