Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/12670
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorМартинюк, Я.-
dc.date.accessioned2015-10-06T16:36:12Z-
dc.date.available2015-10-06T16:36:12Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifierКВНТД I.2 12.13.05-
dc.identifierД/б №2666-п-
dc.identifier.citationСтворення енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці, середовищ та пристроїв перспективної універсальної електронної пам’яті : звіт про НДР (заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. Я. Мартинюк. - К., 2014. - 119 л. + CD-ROM. - Д/б №2666-пuk
dc.identifier.govdoc0113U002097-
dc.identifier.urihttp://ela.kpi.ua/handle/123456789/12670-
dc.description.abstractЗвіт по НДР: 119 стор., 35 табл., 46 рис., 99 джерел. Об’єкт дослідження: енергонезалежні запам’ятовуючі пристрої на основі сегнетоелектричних матеріалів, суміщених з напівпровідниковими структурами, для використання в якості універсальної електронної пам’яті. Метою роботи є створення технології проектування та виготовлення середовищ енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці з руйнівним та неруйнівним зчитуванням зі структурами конденсатор – транзистор та транзистор з сегнетоелектричним затвором для універсальної електронної пам’яті, які не поступаються за розмірами елементам динамічної пам’яті та флеш. В мету роботи також входить створення основ технології осадження та іонного травлення сегнетоелектричних плівок та електродних контактних шарів. Розроблено засоби і технологія проектування та виготовлення енергонезалежних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці та пристроїв на основі масивів конденсаторів, об’єднаних в матричний накопичувач. Опрацьовано метод та засоби ВЧ плазмового розпилення монолітних керамічних мішеней на основі сполук з оксидів цирконію, титану, свинцю в напрямку зменшення товщини плівки з різними типами матеріалів електродних шарів. Отримано плівку цирконату-титанату свинцю 30-50 нм з покращеними властивостями на електродних шарах Co0,7Ni0,3O1+δ на основі розроблених автономних магнетронних та ВЧ-діодних джерел розпилення та реактивного осадження компонентів сегнетоелектричної плівки з ультразвуковою стимуляцією на нерухомі та рухомі підкладки. Створені джерела забезпечують побудову компактних систем пошарового реактивного осадження на підкладки великих розмірів, а також спрощення одночасного використання постійного та НЧ струму у ВЧ процесі для управління швидкістю осадження окремих компонентів та їх сполук з киснем. Розроблено експериментальний зразок запам’ятовуючого пристрою з сегнетоелектричних конденсаторів, об’єднаних в матричний накопичувача ємністю 256 біт. Створено математичну модель пристрою, виконано комп’ютерне моделювання та досліджено швидкодію запису і зчитування та стійкість збереження інформації для створеного методу запису з рівнем перешкод в 1/4 частину сигналу запису. Запропонований метод запису забезпечує швидкодію запису, зчитування в 10-100 нс та стійкість збереження в 10*9-10*12 циклів запису, що підтверджує можливість побудови на матрицях з сегнетоєлектричних конденсаторів пристроїв зовнішньої пам’яті по швидкодії наближених до оперативної.-
dc.language.isoukuk
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України «Київський політехнічний інститут»uk
dc.rightsЗвіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.uk
dc.subjectсегнетоелектричні плівкиuk
dc.subjectзапам’ятовуючі елементи та пристроїuk
dc.subjectтехнологіяuk
dc.subjectмоделюванняuk
dc.subjectпроектуванняuk
dc.titleСтворення енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці, середовищ та пристроїв перспективної універсальної електронної пам’ятіuk
dc.title.alternativeОпрацювання процесів осадження та травлення нанорозмірних сегнетоелектричних плівок та електродних шарів-
dc.title.alternativeРозроблення математичних та комп’ютерних моделей для засобів автоматизованого проектування сегнетоелектричних запам’ятовуючих елементів та пристроїв-
dc.typeTechnical Reportuk
thesis.degree.level-uk
dc.format.page119 л.uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subject.udc681.327.66uk
dc.publisherНаціональний технічний університет України «Київський політехнічний інститут»uk
Appears in Collections:Звіти про науково-дослідні роботи (доступ у чит. залі № 11 НТБ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2666-п.doc
  Restricted Access
9.21 MBMicrosoft WordView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.