Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/17459
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorАртюхов, В. Г.-
dc.contributor.authorКоноваленко, І. В.-
dc.contributor.authorArtuhov, V. G.-
dc.contributor.authorKonovalenko, I. V.-
dc.contributor.authorАртюхов, В. Г.-
dc.contributor.authorКоноваленко, И. В.-
dc.date.accessioned2016-08-31T13:25:26Z-
dc.date.available2016-08-31T13:25:26Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationАртюхов В. Г. Схемотехнічне моделювання мемристора в середовищі MicroCap / В. Г. Артюхов, І. В. Коноваленко // Електроніка та зв'язок : науково-технічний журнал – 2015. – Т. 20, № 1(84). – С. 27–35. – Бібліогр.: 5 назв.uk
dc.identifier.urihttp://ela.kpi.ua/handle/123456789/17459-
dc.language.isoukuk
dc.subjectмемристорuk
dc.subjectMicroCapen
dc.subjectмоделюванняuk
dc.subjectмемристивністьuk
dc.subjectзалежність опору від заряду та магнітного потокуuk
dc.subjectmemristoren
dc.subjectmodelingen
dc.subjectmemristanceen
dc.subjectthe dependence of the resistance of the charge fluxen
dc.subjectмоделированиеru
dc.subjectмемристивнистьru
dc.subjectзависимость сопротивления от заряда магнитного потокаru
dc.titleСхемотехнічне моделювання мемристора в середовищі MicroCapuk
dc.title.alternativeMemristor circuit simulation in MicroCapuk
dc.title.alternativeСхемотехническое моделирования мемристора в среде MicroCapuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk
dc.format.pagerangeС. 27-35uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.source.nameЕлектроніка та зв'язок : науково-технічний журналuk
dc.subject.udc004.94uk
dc.description.abstractukГоловна мета публікації – привернути увагу студентів, аспірантів та молодих спеціалістів до функціонально нового елемента електронних схем – мемристора, який має здатність до запам’ятовування опору. Поява в пакеті MicroCap 10 моделі мемристора дає можливість побудови та дослідження мемристорних схем: запам’ятовуючих схем, нейронних мереж і т.п. В роботі приведений детальний опис моделі мемристора та проведено моделювання простих мемристорних схем з джерелами струму та напруги. Отримані результати демонструють методику отримання характеристик мемристора та показують його властивості. Дана методика може бути використана при моделюванні більш складних мемристорних схем.uk
dc.description.abstractenMain purpose of the publication – to attract the attention of students, graduates and young professionals to the new functional element of electronic circuits – memristor, having the ability to "memorize" the resistance. Appearance of memristor model in MicroCap 10 enables the ability to develop and research memristor circuits: memory circuits, neural networks, etc. In this article is given a detailed description of the model and made simulation of a simple memristor circuits with voltage and current sources. These results demonstrate the method of receiving the memristors characteristics and show its properties. This technique can be used for modeling more complex memristor circuits.uk
dc.description.abstractruГлавная цель публикации – привлечь внимание студентов, аспирантов и молодых специалистов к функционально новому элементу электронных схем – мемристору, обладающего способностью к «запоминанию» сопротивления. Появление в пакете MicroCap 10 модели мемристора дает возможность построения и исследования мемристорних схем: запоминающих схем, нейронных сетей и т.п. В работе приведено подробное описание модели мемристора и проведено моделирование простых мемристорних схем с источниками тока и напряжения. Полученные результаты демонстрируют методику получения характеристик мемристора и показывают его свойства. Данная методика может быть использована при моделировании более сложных мемристорних схем.uk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
Appears in Collections:Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал, Т. 20, № 1(84)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
EiS2015-1_04_Artuhov.pdf292 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.