Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/17943
Title: Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия
Other Titles: Electrothermal analysis of GaN power submicron field-effect heterotransistors
Authors: Тимофеев, Владимир Иванович
Семеновская, Елена Владимировна
Фалеева, Елена Михайловна
Timofeyev, Vladimir I.
Semenovskaya, Elena V.
Falieieva, Olena M.
Keywords: субмикронный гетероструктурный транзистор
нитрид галлия
тепловые поля
эффект саморазогрева
частотные характеристики усиления
submicron heterostructure transistor
gallium nitride
thermal fields
self-heating effect
gain frequency characteristics
Issue Date: 2016
Publisher: НТУУ «КПИ»
Citation: Тимофеев, В. И. Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия / В. И. Тимофеев, Е. В. Семеновская, Е. М. Фалеева // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2016. – Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроника. – C. 23–32. – Библиогр.: 18 назв.
Description: Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347016020035
URI: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/17943
DOI: 10.20535/S0021347016020035
Appears in Collections:Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2016-02-23.pdfПервая страница56.82 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.