Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/jspui/handle/123456789/17995
Title: Проблемы интеграции структур гетероелектроники с кремниевыми ИС.
Other Titles: Problems of integration geteroelektroniki structures with silicon IC.
Authors: Осинский, В. И.
Олексенко, П. Ф.
Палагин, А. В.
Зубарев, В. В.
Луговский, В. В.
Keywords: арсенид галлия
гетероструктура
кремниевая структура
интеграция структур
эпитаксия
подложка
Issue Date: 1999
Publisher: Одеський государственный политехнический университет.
Citation: Осинский, В. И. Проблемы интеграции структур гетероелектроники с кремниевыми ИС / В. И.Осинский, П. Ф. Олексенко, А. В. Палагин, В. В. Зубарев, В. В. Луговский [ та ін.]// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1999. - № 1. - C. 3 - 17.
URI: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/17995
ISSN: 0130-6243
Appears in Collections:Статті

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ТКЭА1999_1.pdf384.11 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.