Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/18197
Title: Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії.
Other Titles: The impact of doping on properties of complex layers of GaAs, obtained by liquid-phase epitaxy.
Authors: Козаченко, В. В.
Круковський, С. І.
Ніколаєнко, Ю. Є.
Савкіна, Р. К.
Смірнов, О. Б.
Keywords: рідинно-фазна епітаксія
епітаксійні шари GaAs
фотолюмінесценція
Liquid-phase epitaxy
GaAs epitaxial layers
photoluminescence
Issue Date: 2005
Publisher: Київський національний університет ім. Тараса Шевченка
Citation: Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії // В. В. Козаченко, С. І. Круковський, Ю. Є. Ніколаєнко [та ін.] // Вісник Київського університету імені Тараса Шевченка. Серія «Фізико-математичні науки». – КНУ ім. Тараса Шевченка. – 2005. – Вип. № 4. – С. 359-364.
URI: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/18197
Appears in Collections:Статті (АЕС і ІТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
КНУ_2005_4_359-364.pdf1.95 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.