Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/2339
Title: Методи формування ідентифікаційних ознак нелінійних розсіювачів
Authors: Зінченко, Максим В’ячеславович
Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"
Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"
радіотехнічний
Issue Date: 2012
Abstract: Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.12.17 – Радіотехнічні та телевізійні системи. – Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”, Київ – 2012. У дисертації показано, що явище спотворення характеристик напівпровідникової структури нелінійного розсіювача (НРс) при дії зондуючого сигналу (ЗС) нелінійного радіолокатора (НР) суттєво впливає на картину розсіювання складових сигналу відгуку. Вперше виявлено та досліджено вторинні демаскуючі ознаки напівпровідникових НРс, що використані в якості ідентифікаційних ознак сигналів відгуку у нелінійній радіолокації: ефект появи області петлеутворення на функціональній залежності рівня кратної гармоніки сигналу відгуку напівпровідникового НРс від рівня потужності ЗС; явище кореляційної залежності ступеня хаотичності сигналу відгуку напівпровідникового НРс від рівня потужності ЗС; ефект інерційності процесів спотворення вольтамперних характеристик напівпровідникових структур НРс; явища девіації фази нелінійних продуктів при варіюванні рівня потужності ЗС НР та різного за значенням зсуву фаз для нелінійних продуктів однакової частоти, але неоднакової природи походження – кратна гармоніка та комбінаційна частота. Проведені дослідження за допомогою рядів Вольтерра показали, що на демаскуючі властивості напівпровідникових НРс суттєво впливає тип їх антенних структур. Виконано розробку методів виявлення, ідентифікації та локалізації НРс за вторинними демаскуючими ознаками, які захищені патентами України. Підвищення ефективності використання НР шляхом застосування розроблених методів досягається зведенням до мінімуму впливу таких факторів як: присутність у досліджуваному середовищі завадових структур “метал-окисел-метал”; присутність паразитних пелюсток діаграми направленості випромінюючої антени.
Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.12.17 - Радиотехнические и телевизионные системы. - Национальный технический университет Украины “Киевский политехнический институт”, Киев - 2012. В диссертации показано, что явление искажения характеристик полупроводниковой структуры нелинейного рассеивателя (НРс) при действии зондирующего сигнала (ЗС) нелинейного радиолокатора (НР) существенно влияет на картину рассеяния составляющих сигнала отклика. Впервые обнаружено и исследовано вторичные демаскирующие признаки полупроводниковых НРс, которые использованы в качестве идентификационных признаков сигналов отклика в нелинейной радиолокации: эффект появления области петлеобразования на функциональной зависимости уровня кратной гармоники сигнала отклика полупроводникового НРс от уровня мощности ЗС; явление корреляционной зависимости степени хаотичности сигнала отклика полупроводникового НРс от уровня мощности ЗС; эффект инерционности процессов искажения вольт-амперных характеристик полупроводниковых структур НРс; явления девиации фазы нелинейных продуктов при варьировании уровня мощности ЗС НР и различного по значению сдвига фаз для нелинейных продуктов одинаковой частоты, но неодинаковой природы происхождения - кратная гармоника и комбинационная частота. Проведенные исследования с помощью рядов Вольтерра показали, что на демаскирующие свойства полупроводниковых НРс существенно влияет тип их антенных структур. Выполнена разработка методов обнаружения, идентификации и локализации НРс по вторичным демаскирующим признакам, которые защищены патентами Украины. Повышение эффективности НР путем использования разработанных методов достигается сведением к минимуму влияния таких факторов как: присутствие в исследуемой среде помеховых структур “металл-окисел-металл”; присутствие паразитных лепестков диаграммы направленности излучающей антенны.
Dissertation to submit for academic degree of candidate of engineering sciences on specialty 05.12.17 - Radio engineering and television systems. - National Technical University of Ukraine "Kyiv Polytechnic Institute", Kyiv - 2012. It is shown in dissertation, that the phenomenon of descriptions distortion of semiconductor structure of nonlinear scatterer (NS) at the action of sounding signal (SS) of nonlinear radar (NR) substantially influences on the dispersion picture of components of response signal - the effective radius of dispersion of nonlinear products increases with the power-level rise of NR. Secondary unmasking features of semiconductor NS, which were used as identification signs of response signals in nonlinear radio-location, are first discovered and explored: effect of looping area appearance on functional dependence of multiple harmonic level of response signal of semiconductor NS from the power-level of SS; phenomenon of correlation dependence of chaotic degree of response signal of semiconductor NS from the power-level of SS; effect of inertance of distortion processes of current-voltage diagram of semiconductor structures of NS; phenomenon of phases deviation of nonlinear products at varying of power-level of SS of NS and different by value of phases shift for nonlinear products of identical frequency, but different nature of origin - multiple harmonic and combination frequency. The conducted researches by means of Volterra series showed, that the type of aerial structures substantially influences on unmasking properties of semiconductor NS. Development of methods of discovery, identification and localization of NS by the secondary unmasking features, which are protected by the patents of Ukraine, is executed. The increase of NS efficiency by the usage of developed methods is achieved by taking to a minimum of influence of such factors as: being in the investigated medium of obstacle structures "metal-oxide-metal"; subjectivity of operator; presence of parasitic directional lobe of emitting aerial.
URI: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/2339
Appears in Collections:Автореферати

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Zinchenko_aref.pdf
  Restricted Access
867.98 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.