Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/24325
Title: The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors
Other Titles: Вплив гамма-випромiнювання на основнi статичнi характеристики SiGe транзисторiв
Влияние гамма-излучения на основные статические характеристики SiGe транзисторов
Authors: Dvornikov, О. V.
Dziatlau, V. L.
Prokopenko, N. N.
Tchekhovski, V. А.
Дворнiков, О. В.
Дятлов, В. Л.
Прокопенко, М. М.
Чеховський, В. О.
Дворников, О. В.
Дятлов, В. Л.
Прокопенко, Н. Н.
Чеховский, В. А.
Keywords: radiation hardness
SiGe-transistors
analog microcircuits
gamma rays
main static characteristics of transistor
радiацiйна стiйкiсть
SiGe-транзистори
аналоговi мiкросхеми
гамма випромiнювання
основнi статичнi характеристики транзистора
радиационная стойкость
SiGe-транзисторы
аналоговые микросхемы
гамма излучение
основные статические характеристики транзистора
Issue Date: 2017
Publisher: КПІ ім. Ігоря Сікорського
Citation: The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors / О. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, V. А. Tchekhovski // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2017. – Вип. 71. – С. 40–45. – Бібліогр.: 25 назв.
URI: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/24325
Appears in Collections:Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 71

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
VKPIRR_2017_71_7Dvornikov.pdf603.52 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.