Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/2696
Title: Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів
Authors: Тимофєєв, В. І.
Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"
Keywords: тринітриди
часи релаксації
імпульсні властивості
резонансно-тунельний діод
самоузгоджена модель
гетеротранзистор із квантовими точками
теплова модель
тепловий опір
Issue Date: 2012
Citation: Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ"; кер. роб. В. І. Тимофєєв. - К., 2012. - 269 л. + CD-ROM. - Д/б №2428-п
Abstract: Звіт про НДР "Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів" : 269 с., 107 рис., 7 табл., 150 джерел. Метою роботи є створення інформаційного забезпечення для моделювання перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-типологічне моделювання наноструктурних електронних приладів: багатошарових гетеротранзисторних структур, гетеротранзисторів із квантовими точками, приладів та структур з резонансним тунелюванням для розробки і впровадження технологій їх виготовлення. Робота спрямована на математичне моделювання для створення теоретичних засад і розроблення перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. В даній роботі показана можливість моделювання елктричних властивостей тринітридних сполук з різними модефікаціями кристалічної решітки в сильних електричних полях та запропоновано набір вхідних даних, що забезпечує адекватність моделювання. Запропоновані методика і програмні засоби для моделювання характеристик широкого кола напівпровідникових нанометрових приладів; включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзистори із квантовими точками, прилади та структури з резонансним тунелюванням: топологія і конструкції перспективних напівпровідникових нанометрових приладів. Запропоновані у роботі математичні моделі, алгоритми і програми сприяють створенню сучасних напівпровідникових компонентів для теленкомукаційних систем обробки сигналів, розвитку нанотехнологій.
URI: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/2696
Other Identifiers: № держреєстрації 0111U000774
код КВНТД І.2 12.11.13
Д/б №2428-п
Appears in Collections:Звіти про науково-дослідні роботи

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2428-п.pdf
  Restricted Access
3.57 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.