Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/2758
Authors: Bogdan, A.
Orlov, A.
Ulianova, V.
Богдан, О. В.
Орлов, А. Т.
Ульянова, В. О.
Богдан, А. В.
Орлов, А. Т.
Ульянова, В. А.
Title: Growing parameters and quality of ZnO seed-layer film (Part 1)
Other Titles: Параметри росту та якість плівки зародкового шару ZnO (частина 1)
Параметры роста и качество пленки зародышевого слоя ZnO (часть 1)
Issue Date: 2012
Publisher: НТУУ "КПИ"
Keywords: ZnO seed-layer
sol-gel
zinc nitrate
zinc acetate
annealing temperature
зародковий шар ZnO
золь-гель
гексагідрат нітрату цинку
ацетат цинку
температура відпалу
зародышевый слой ZnO
гексагидрат нитрата цинка
ацетат цинка
температура отжига
Appears in Collections:Электроника и связь: научно-технический журнал, № 6(71)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1.pdf1.43 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.