Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/4809
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorГермаш, Л. П.-
dc.date.accessioned2013-10-22T07:22:41Z-
dc.date.available2013-10-22T07:22:41Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifierКВНТД І.101.04.10-
dc.identifierД/б №2206-ф-
dc.identifier.citationЕлектронні процеси у пробійних електричних полях в політипах карбіду кремнію : звіт про НДР (заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. Л. Гермаш. К., 2011. - 245 л. + CD-ROM. - Д/б №2206-фuk
dc.identifier.govdoc0109U001598-
dc.identifier.urihttp://ela.kpi.ua/handle/123456789/4809-
dc.description.abstractЗвіт по НДР - 5 розділів, 245 сторінок, 103 ілюстрації, 7 таблиць. Використано 103 літературних джерела. Досліджено вплив технологічних режимів виготовлення p-n-структур на основі політипів SiC на локалізацію та характеристики мікроплазм. Зроблені припущення щодо причин появи мікроплазм та виявлені методи впливу на мікроплазмову структуру пробою, які дозволяють створити високостабільні широкосмугові випромінювачі з оптимальними властивостями. Наведені результати експериментальних досліджень впливу температури на спектральний склад пробійної електролюмінесценції у p-n-структурах, отриманих на політипах карбіду кремнію SiC-6H, -15R, -4H, -3C. З’ясовані головні фактори, що визначають температурну залежність квантового виходу випромінювання у широкій області спектра (250 - 700 нм). За рахунок використання нової методики аналізу експериментальних даних отримано нову інформацію щодо природи компонент, які складають широкосмуговий, практично безструктурний спектр випромінювання. Отримані дані дозволили оптимізувати технологію та режими експлуатації широкополосних випромінювачів по величині температурної нестабільності. Наведені результати детальних досліджень випромінювання окремих мікроплазм у p-n-переходах із мікроплазмовим пробоєм, які виготовлені на кристалах SiC модифікацій 3С та 6Н. У випромінюванні цих мікроплазм найбільш явно виявився новий ефект - періодична структура, яка має характер осциляцій з періодом 0,05-0,5 еВ, що поширюються на досліджений спектральний діапазон 1,8-4,7 еВ. Їхня амплітуда складала 0,05-0,25 інтенсивності фонового випромінювання. Виявлено зв’язок осцилюючої структури з енергетичним проміжком (Х3с-Х1с) у зоні провідності SiC-3C. Запропоновані оригінальні методики визначення спектральної залежності стану поляризації слабких джерел оптичного випромінювання із суцільним спектром. Приведені результати досліджень спектральної залежності ступеню лінійної поляризації пробійної електролюмінісценції відносно кристалографічної осі С політипів SiC-6H та -4H. Визначені характеристики релаксації пробійної електролюмінісценції p-n-структур на основі SiC з субнаносекудним розрізненням. Досліджена часова нестабільність формувачів імпульсного струму на основі лавинних транзисторів. Запропоновані схеми стабільних джерел імпульсного випромінювання для калібрування швидких фотоприймальних пристроїв. Досліджена кінетика випромінювання, температурна і часова нестабільність наносекундних потужних джерел імпульсного випромінювання на основі сучасних короткохвильових світлодіодів на основі нітридів Ga та In. Проаналізована література щодо проблем створення газових сенсорів, технології та перспектив використання поруватого карбіду кремнію, отриманого анодним травленням у розчинах плавикової кислоти. Описані результати щодо впливу технологічних режимів на морфологію поруватої поверхні SiC, фотолюмінесценції та чутливості до аміаку отриманих шарів.-
dc.language.isoukuk
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"uk
dc.rightsЗвіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.uk
dc.subjectкарбід кремніюuk
dc.subjectелектричний пробійuk
dc.subjectмікроплазмаuk
dc.subjectпробійна електролюменісценціяuk
dc.subjectлінійна поляризація електролюменісценціїuk
dc.subjectпоруватий карбід кремніюuk
dc.subjectзразкове джерело випромінюванняuk
dc.titleЕлектронні процеси у пробійних електричних полях в політипах карбіду кремніюuk
dc.typeTechnical Reportuk
thesis.degree.level-uk
dc.format.page245 л.uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subject.udc621.315.592uk
dc.publisherНаціональний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"uk
Appears in Collections:Звіти про науково-дослідні роботи (доступ у чит. залі № 11 НТБ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2206-ф.doc
  Restricted Access
25 MBMicrosoft WordView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.