Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/8175
Title: Теоретичні та експериментальні основи створення нового класу сенсорів терагерцевого діапазону
Advisors: Богорош, О. Т.
Keywords: сенсори терагерцевого діапазону
молекулярна динаміка
багаточастинкові системи
наношари
кристалографічна інформація
Issue Date: 2013
Publisher: Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"
Citation: Теоретичні та експериментальні основи створення нового класу сенсорів терагерцевого діапазону : звіт про НДР (заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. О. Т. Богорош. - К., 2013. - 162 л. + анот. звіт + CD-ROM. - Д/б №2412-ф
Abstract: Звіт про НДР: 162 с., 59 рис., 6 табл., 1 додаток, 41 джерело. Об'єкти дослідження – чутливі шари сенсорів терагерцового діапазону на основі активних діелектриків. Мета роботи – розробка нових підходів, методів та методик створення нового класу швидкодіючих сенсорів терагерцового діапазону для високошвидкісних пристроїв реєстрації інформації від ультрафіолетового до міліметрового діапазону випромінювань. Методи дослідження – статичний та динамічний аналіз електро- та теплофізичних характеристик матеріалів чутливих шарів сенсорних елементів, метод молекулярної динаміки (МД), методи діелектричної та рентгенівської спектроскопії, просвічуючої електронної мікроскопії (ПЕМ) та скануючої зондової мікроскопії (СЗМ), зокрема, атомно-силової мікроскопії (АСМ), методи математичної та теоретичної фізики. Розроблені: алгоритм комп’ютерного експерименту МД; алгоритм МД розрахунків; метод дослідження наносистем на основі аналізу результатів МД розрахунку основних властивостей наноматеріалів; методика обробки зображень наночастинок з електронного мікроскопу та реконструкції їх структури; методика вимірювання наноструктур; метод визначення просторового розподілу поляризації в наношарах активних діелектриків; методика опису процесів зародження та зростання штучних нанодоменів; технологічний метод іонно-плазмового розпилення матеріалів для чутливого шару сенсору; технологічна методика отримання нанокомпозитних матеріалів на основі активних діелектриків; методика для опису полярно-активних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників із зарядженими дефектами. Отримані: результати обчислення ефективного силового поля при МД моделюванні; аналітичні результати розрахунків утворення нанодоменів та граничної густини їх формування; частотний кореляційний спектр для різних енергій кластеру; результати обчислення характеристик впливу електричного поля дефектів на реверсування поляризації в нанорозмірних областях сегнетоелектриків (СЕ), їх локальний п’єзоелектричний (П’Е), піроелектричний (ПЕ) відгук та діелектричні параметри. Запропоновані: модель внутрішньокластерної атомної динаміки чутливого шару сенсору; термодинамічна модель кластера матеріалу сенсора; рекомендації щодо використання технологічного методу іонно-плазмового розпилення піроматеріалу сенсору. Результати досліджень будуть використані при розробці нового класу швидкодіючих сенсорів терагерцового діапазону. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єкта дослідження – створення на основі нового класу сенсорів терагерцового діапазону високошвидкісних пристроїв реєстрації інформації від ультрафіолетового до міліметрового діапазону випромінювань, сприяння розвитку машинобудування, матеріалознавства; приладобудування, фотоніки та споріднених галузей
URI: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/8175
Gov't Doc #: 0111U002508
Appears in Collections:Звіти про науково-дослідні роботи (доступ у чит. залі № 11 НТБ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2412-ф.doc
  Restricted Access
57.76 MBMicrosoft WordView/Open
2412-ф(anot.zvit).doc
  Restricted Access
154.5 kBMicrosoft WordView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.