Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/882
Title: Моделирование субмикронных гетеротранзисторов с низкоразмерными системами
Authors: Фалеева, Елена Михайловна
Advisors: Тимофеев, Владимир Иванович
Keywords: субмікронні гетероструктурні транзистори
квантові точки
фізико-топологічна модель
квантові ефекти
субмикронные гетеротранзисторы
квантовые точки
физико-топологическая модель
квантовые эффекты
submicron heterotransistors
quantum dots
HEMT with QD
physical-topological model
quantum effects
Issue Date: 2011
Citation: Фалеева Е. М. Моделирование субмикронных гетеротранзисторов с низкоразмерными системами : дисс. ... канд. техн. наук : 05.27.01 – твердотельная электроника / Е. М. Фалеева. - К., 2011. - 147 л. + CD-ROM
URI: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/882
Appears in Collections:Дисертації (доступ у чит. залі №11 НТБ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Faleyeva_diss.pdf
  Restricted Access
4.07 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.