Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/9941
Title: Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням
Other Titles: The temperature properties of semiconductor resonant structures with electronic control
Температурные свойства полупроводниковых резонансных структур с электронным управлением
Authors: Діденко, Ю. В.
Молчанов, В. І.
Пашков, В. М.
Татарчук, Д. Д.
Франчук, А. С.
Didenko, Yu. V.
Molchanov, V. I.
Pashkov, V. M.
Tatarchuk, D. D.
Franchuk, A. S.
Диденко, Ю. В.
Молчанов, В. И.
Пашков, В. М.
Татарчук, Д. Д.
Франчук, А. С.
Keywords: p-i-n діод
резонанс E-типу
напівпровідниковий резонатор з електронним керуванням
власна добротність
температурний коефіцієнт
p-i-n diode
E-type resonance
semiconductor resonator with electronic control
unloaded Q-factor
temperature coefficient
p-i-n диод
резонанс E-типа
полупроводниковый резонатор с электронным управлением
собственная добротность
температурный коэффициент
Issue Date: 2013
Publisher: НТУУ "КПИ"
Citation: Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням / Ю. В. Діденко, В. І. Молчанов, В. М. Пашков, Д. Д. Татарчук, А. С. Франчук // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 5(76). – С. 9–12. – Библиогр.: 5 назв.
URI: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/9941
Appears in Collections:Electronics and Communications: научно-технический журнал, № 5(76)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3.pdf242.02 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.