Skip navigation
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/9941
Назва: Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням
Інші назви: The temperature properties of semiconductor resonant structures with electronic control
Температурные свойства полупроводниковых резонансных структур с электронным управлением
Автори: Діденко, Ю. В.
Молчанов, В. І.
Пашков, В. М.
Татарчук, Д. Д.
Франчук, А. С.
Didenko, Yu. V.
Molchanov, V. I.
Pashkov, V. M.
Tatarchuk, D. D.
Franchuk, A. S.
Диденко, Ю. В.
Молчанов, В. И.
Пашков, В. М.
Татарчук, Д. Д.
Франчук, А. С.
Ключові слова: p-i-n діод
резонанс E-типу
напівпровідниковий резонатор з електронним керуванням
власна добротність
температурний коефіцієнт
p-i-n diode
E-type resonance
semiconductor resonator with electronic control
unloaded Q-factor
temperature coefficient
p-i-n диод
резонанс E-типа
полупроводниковый резонатор с электронным управлением
собственная добротность
температурный коэффициент
Дата публікації: 2013
Видавництво: НТУУ "КПИ"
Бібліографічний опис: Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням / Ю. В. Діденко, В. І. Молчанов, В. М. Пашков, Д. Д. Татарчук, А. С. Франчук // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 5(76). – С. 9–12. – Библиогр.: 5 назв.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ela.kpi.ua/handle/123456789/9941
Розташовується у зібраннях:Electronics and Communications: научно-технический журнал, № 5(76)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
3.pdf242.02 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.