Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/9941
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorДіденко, Ю. В.-
dc.contributor.authorМолчанов, В. І.-
dc.contributor.authorПашков, В. М.-
dc.contributor.authorТатарчук, Д. Д.-
dc.contributor.authorФранчук, А. С.-
dc.contributor.authorDidenko, Yu. V.-
dc.contributor.authorMolchanov, V. I.-
dc.contributor.authorPashkov, V. M.-
dc.contributor.authorTatarchuk, D. D.-
dc.contributor.authorFranchuk, A. S.-
dc.contributor.authorДиденко, Ю. В.-
dc.contributor.authorМолчанов, В. И.-
dc.contributor.authorПашков, В. М.-
dc.contributor.authorТатарчук, Д. Д.-
dc.contributor.authorФранчук, А. С.-
dc.date.accessioned2014-12-22T12:51:43Z-
dc.date.available2014-12-22T12:51:43Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationТемпературні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням / Ю. В. Діденко, В. І. Молчанов, В. М. Пашков, Д. Д. Татарчук, А. С. Франчук // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 5(76). – С. 9–12. – Библиогр.: 5 назв.uk
dc.identifier.urihttp://ela.kpi.ua/handle/123456789/9941-
dc.language.isoukuk
dc.subjectp-i-n діодuk
dc.subjectрезонанс E-типуuk
dc.subjectнапівпровідниковий резонатор з електронним керуваннямuk
dc.subjectвласна добротністьuk
dc.subjectтемпературний коефіцієнтuk
dc.subjectp-i-n diodeen
dc.subjectE-type resonanceen
dc.subjectsemiconductor resonator with electronic controlen
dc.subjectunloaded Q-factoren
dc.subjecttemperature coefficienten
dc.subjectp-i-n диодru
dc.subjectрезонанс E-типаru
dc.subjectполупроводниковый резонатор с электронным управлениемru
dc.subjectсобственная добротностьru
dc.subjectтемпературный коэффициентru
dc.titleТемпературні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуваннямuk
dc.title.alternativeThe temperature properties of semiconductor resonant structures with electronic controluk
dc.title.alternativeТемпературные свойства полупроводниковых резонансных структур с электронным управлениемuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk
dc.format.pagerangeС. 9-12uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.source.nameElectronics and Communications: научно-технический журналuk
dc.subject.udc621.372.41uk
dc.description.abstractukРозглянуто p-i-n діоди як багатошарові електродинамічні системи. Показано, що в таких системах можливе виникнення електромагнітного резонансу E-типу. На основі цього підходу отримано аналітичні вирази для оцінювання температурних залежностей параметрів таких приладів. Експериментально досліджено температурні властивості резонансних систем на основі p-i-n діодів, виготовлених із кремнію та арсеніду галію, а саме залежність резонансної частоти і власної добротності від температури в міліметровому діапазоні довжин хвиль. Показано доцільність використання p-i-n діодів як керованих резонансних структур у надвисокочастотному діапазоні.uk
dc.description.abstractenThe p-i-n diodes as multilayer electromagnetic systems are considered. It is shown that in such systems may experience electromagnetic E-type resonance. Using this approach, analytical expressions for the evaluation of the temperature dependence of the parameters of such devices are obtained. The temperature properties of resonant systems on the base of Si and GaAs p-i-n diodes, namely the dependence of resonant frequency and unloaded Q-factor from temperature at millimeter wavelengths are experimentally studied. The expediency of the use of p-i-n diodes as controlled resonant structures in the UHF range is shown.uk
dc.description.abstractruРассмотрены p-i-n диоды как многослойные электродинамические системы. Показано, что в таких системах возможно возникновение электромагнитного резонанса E-типа. На основе данного подхода получены аналитические выражения для оценки температурных зависимостей параметров таких приборов. Экспериментально исследованы температурные свойства резонансных систем на основе p-i-n диодов, изготовленных из кремния и арсенида галлия, а именно зависимость резонансной частоты и собственной добротности от температуры в миллиметровом диапазоне длин волн. Показана целесообразность использования p-i-n диодов как управляемых резонансных структур в сверхвысокочастотном диапазоне.uk
dc.publisherНТУУ "КПИ"uk
Appears in Collections:Electronics and Communications: научно-технический журнал, № 5(76)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3.pdf242.02 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.