Статті (КЕОА)

Постійне посилання зібрання

https://ela.kpi.ua/handle/123456789/13080
У зібранні розміщено матеріали, що опубліковані або готуються до публікації в наукових журналах та збірниках.

Переглянути

Перегляд Статті (КЕОА) за Ключові слова "bandgap"

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    ДокументВідкритий доступ
    Методи зниження температурної залежності джерел опорної напруги інтегральних мікросхем
    (Sergeieva & Co, 2020) Цимбал, Олександр Володимирович; Корнєв, Володимир Павлович
    Розглянуто базові принципи побудови джерел опорної напругиінтегральних мікросхем. Проаналізовано можливі джерела похибки вихідної опорної напруги, переваги і недоліки існуючих архітектурних рішень джерел опорної напруги. Запропоновано архітектурне рішення побудови джерела опорної напруги з компенсацією нелінійностей вищих порядків, що має температуро незалежну вихідну напругу і здатне працювати при напрузі живлення рівній або нижче 1 В. Дане рішення має можливість реалізації в стандартній КМПО технології зміщення операційного підсилювача.
  • Ескіз
    ДокументВідкритий доступ
    Структурна і параметрична оптимізація джерела опорної напруги
    (КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2022) Павлов, Леонід Миколайович; Лебедев, Денис Юрійович
    В статті показана можливість зниження температурного коефіцієнту для джерела опорної напруги (ДОН), побудованого на біполярних транзисторах. Для цього першим кроком запропоновано поділити температурний діапазон роботи ДОН на два інтервали. Найімовірнішим для експлуатації є інтервал з додатніми значеннями температури. Такий поділ надає можливість удвічі зменшити температурний коефіцієнт для найімовірнішої робочої області при відповідному налаштуванні ДОН. При введенні вагових коефіцієнтів для оптимізації ДОН перевага надана робочому інтервалу саме додатніх температур. Це дає напрямок пошуку оптимального рішення при формалізації процесу оптимізації. За другим кроком запропоновано структурну схему з компенсаторами спаду температурної характеристиками. Далі запропоновано схеми електричні типового компенсатора та схеми включення одного і двох компенсаторів до нескомпенсованого ДОН. Цим також визначено правило введення наступних компенсаторів, якщо це буде доцільно. Проведено параметричну оптимізацію запропонованих схем ДОН. Проведено також експериментальне дослідження схеми ДОН з одною ланкою компенсації. В результаті оптимізації отримано зменшення значення температурного коефіцієнту на рівні 2,88 ppm/°C для схеми з одним компенсатором, та 1,0 ppm/°C для випадку включення в схему двох компенсаторів, що перевершує опубліковані новітні досягнення. При розширенні температурного діапазону в область низьких температур і застосуванні додаткових компенсаторів за наведеною структурною схемою слід очікувати зниження температурного коефіцієнта до 0,25 ... 0,5 ppm/°C.