Skip navigation
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10266
Назва: Параметри оптично активної області світлодіоду під впливом радіаційного випромінювання
Інші назви: Оptical active area light-diodes parameters under influence of radiating radiation
Параметры оптически активной области светодиода под воздействием радиационного излучения
Автори: Руденко, Н. М.
Стужук, І. І.
Rudenko, N. N.
Stuguk, I. I.
Руденко, Н. Н.
Стужук, И. И.
Ключові слова: світлодіоди
радіоактивна стійкість світлодіодів
light-emitting diodes
radioactivity stability semiconductor
светодиоды
радиоактивная стойкость светодиодов
Дата публікації: 2009
Видавництво: НТУУ «КПІ»
Бібліографічний опис: Руденко, Н. М. Параметри оптично активної області світлодіоду під впливом радіаційного випромінювання / Н. М. Руденко, І. І. Стужук // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2009. – № 39. – С. 126–130. – Бібліогр.: 3 назви.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10266
Розташовується у зібраннях:Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, № 39

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
26.pdf330.07 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.