Дослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2010

Автори

Науковий керівник

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Анотація

Метою роботи є створення інформаційного забезпечення для моделювання перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-топологічне моделювання наноструктурних електронних приладів: багатошарових гетеротранзисторних структур, включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзисторів із квантовими точками, приладів та структур з резонансним тунелюванням для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення. Робота спрямована на математичне моделювання для створення теоретичних засад і розроблення перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. В даній роботі показана можливість моделювання електричних властивостей тринітридних сполук з різними модифікаціями кристалічної решітки в сильних електричних полях та запропоновано набір вхідних даних, що забезпечує адекватність моделювання. Запропоновані методика і програмні засоби для моделювання характеристик широкого кола напівпровідникових нанометрових приладів; включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзистори із квантовими точками, прилади та структури з резонансним тунелюванням: топологія і конструкції перспективних напівпровідникових нанометрових приладів. Запропоновані у роботі математичні моделі, алгоритми і програми сприяють створенню сучасних напівпровідникових компонентів для телекомунікаційних систем і систем обробки сигналів, розвитку нанотехнологій.

Опис

Ключові слова

тринітриди, механізми розсіювання, часи релаксації, сильне електричне поле, резонансно-тунельний діод, самоузгоджена модель, гетеротранзистор з квантовими точками, пасивні нанокомпоненти, вуглецеві нанотрубки, гетеробіполярний транзистор, електротепловий аналіз

Бібліографічний опис

Дослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. В. Тимофєєв. - К., 2010. - 192 л. + CD-ROM. - Д/б №2244-п

DOI