Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/21103
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorЯкименко, Юрій Івановичuk
dc.contributor.advisorYakimenko, I. Yurien
dc.contributor.advisorЯкименко, Юрий Ивановичru
dc.date.accessioned2017-11-14T12:13:37Z-
dc.date.available2017-11-14T12:13:37Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier2336-п-
dc.identifier.govdoc0110U002462-
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/21103-
dc.language.isoukuk
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України «Київський політехнічний інститут»uk
dc.subjectплівки нітриду алюмініяuk
dc.subjectтопологія електродів коміркиuk
dc.titleРозроблення технології отримання орієнтованих плівок нітриду алюмінія з п’єзоелектричними властивостями для організації функціональних МЕМС-структур у складі наноелектронних комірокuk
dc.title.alternativeDesign processing technique of reception focused films of nitride aluminium with piezoelectric properties for organization functional MEMS-structures in nanoelectronic meshesuk
dc.title.alternativeРазработка технологии получения ориентированных пленок нитрида алюминия с пьезоэлектрическими свойствами для организации функциональных МЭМС-структур в составе наноэлектронных ячеекuk
dc.typeTechnical Reportuk
dc.contributor.departmentНауково-дослідний інститут прикладної електроніки НТУУ «КПІ»uk
dc.format.page4 с.uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.description.abstractukРозроблено технологічний маршрут отримання низькотемпературного синтезу орієнтованих плівок нітриду алюмінія для створення функціональних електронних комірок. Проведені дослiдження структури та фізико-хімічних характеристик тонких плівок нітрида алюмінія (A1N) для створення функціональних МЕМС-структур. Уперше відпрацьовані технологічні режими синтезу орієнтованих плівок нітриду алюмінія методом магнетронного реактивного розпилення на по­стійному струмі з застосуванням аміака та суміші азота і аргона, що дозволило активізувати синтез нітридних сполук. Виконані дослідження впливу режимів вакуумного співрозпилення на хімічний склад, структурні, електричні, оптичні властивості орієнтованих плівок нітриду алюмінія на підкладках кремнія. Виконано аналіз основних технологічних методів поліпшення електронно-фізичних властивостей плівок для отримання кристалічної досконалості шарів A1N, якісної поверхні та хороших транспортних властивостей. Встановлено, що для синтеза плівок нітрида алюмінія необхідно попереднє відкачування вакуумної установки до тиску залишкових газів 7•10-5 Па, подача ВЧ-зміщення на підкладку (50 В, 10 МГц) і потужність розряду 300 і 500Вт відповідно при температурі підкладки 100 і 25°С. Отримані тонкі алюмінієві плівки нітриду методом реактивного високочастотного магнетронного розпиленням на різноманітних підкладках:SiO2, poly-Al(111), poly-Pt(111), Si(100), Si(111). Розроблена топологія електродів комірки та технології їх нанесення на плівки нітриду алюмінія для організації функціональних МЕМС.uk
dc.description.abstractenPast studies of the structure and physico-chemical characteristics of thin films of aluminum nitride (AlN) to create a functional MEMS structures. For the first time fulfilled technological regimes of synthesis of aluminum nitride oriented films by reactive magnetron sputtering on to ¬ uous stream using a mixture of ammonia and nitrogen and argon, which allowed to increase the synthesis of nitride compounds. The research on the impact of vacuum modes spivrozpylennya the chemical composition, structural, electrical and optical properties of oriented films of aluminum nitride on silicon substrates. The analysis of the main technological methods to improve the electronic and physical properties of films for crystalline perfection of layers of A1N, surface quality and good transport properties. Found that for the synthesis of aluminum nitride films is needed to install a vacuum pump pressure of residual gases 7•10-5 Pa, giving RF bias to the substrate (50B, 10 MHz) and the discharge capacity of 300 and 500W respectively at 100 and substrate 25°C. These thin aluminum nitride films by reactive RF magnetron sputtering on various substrates: SiO2, poly-Al(111), poly-Pt(111), Si(100), Si(111). A topology electrode cell technology and their application on aluminum nitride films for MEMS functional organization.uk
dc.description.abstractruПроведены исследования структуры и физико-химических характеристик тонких пленок нитрида алюминия (AlN) для создания функциональных МЭМС-структур. Впервые отработаны технологические режимы синтеза ориентированных пленок нитрида алюминия методом магнетронного реактивного распыления на постоянном токе с применением аммиака и смеси азота и аргона, что позволило активизировать синтез нитридных соединений. Выполнены исследования влияния режимов вакуумного сораспыления на химический состав, структурные, электрические, оптические свойства ориентированных пленок нитрида алюминия на подложках кремния. Выполнен анализ основных технологических методов улучшения электронно-физических свойств пленок для получения кристаллически совершенных слоев AlN, качественной поверхности и хороших транспортных свойств. Установлено, что для синтеза пленок нитрида алюминия необходимо предварительная откачка вакуумной установки до давления остаточных газов 7•10-5 Па, подача ВЧ-смещения на подложку (50В, 10 МГц) и мощность разряда 300 и 500Вт соответственно при температуре подложки 100 и 25°С. Получены тонкие пленки нитрида алюминия методом реактивного высокочастотного магнетронного распыления на различных подложках: SiO2, poly-Al(111), poly-Pt(111), Si(100), Si(111). Разработана топология электродов ячейки и технологии их нанесения на пленки нитрида алюминия для организации функциональных МЭМС.uk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
Appears in Collections:Анотовані описи завершених науково-дослідних робіт КПІ ім. Ігоря Сікорського

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2336-p.pdf133.36 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.