Методика построения и верификация нелинейной модели EEHEMT для GaN HEMT транзистора
Вантажиться...
Дата
2015
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ «КПИ»
Анотація
Опис
Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347015100015
Ключові слова
СВЧ транзистор, нелинейная модель, экстракция, измерение, нагрузочная характеристика, GaN HEMT
Бібліографічний опис
Коколов, А. А. Методика построения и верификация нелинейной модели EEHEMT для GaN HEMT транзистора / А. А. Коколов, Л. И. Бабак // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2015. – Т. 58, № 10 (640). – C. 3–14. – Библиогр.: 17 назв.