Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10125
Title: Сравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Other Titles: Порівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв у структурах із квантовими точками й квантовими ямами, вирощених методом МОС-гідридної епітаксії
Comparison of efficiency recombination of nonequilibrium carriers in structures with quantum dots and quantum wells, grown by mocvd
Authors: Авксентьев, Ю. А.
Ларкин, С. Ю.
Парфенюк, П. В.
Авксентьєв, Ю. А.
Ларкін, С. Ю.
Парфенюк, П. В.
Avksentyev, Yu.
Larkin, S.
Parfenuk, P.
Keywords: МОС-гидридная эпитаксия
гетероструктуры
квантовые точки
квантовые ямы
квантовая эффективность
светодиод
МОС-гідридна епітаксія
гетероструктури
квантові точки
квантові ями
квантова ефективність
світлодіод
MOCVD epitaxy
heterostructures
quantum dots
quantum wells
quantum efficiency
the LED
Issue Date: 2014
Publisher: НТУУ "КПИ"
Citation: Авксентьев Ю. А. Сравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии / Ю. А. Авксентьев, C. Ю. Ларкин, П. В. Парфенюк // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 2(79). – С. 30–35. – Библиогр.: 19 назв.
URI: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10125
Appears in Collections:Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 2(79)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
5.pdf314.53 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.