1. ELAKPI
2. Наукова періодика
3. Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал
4. 2014
5. Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 2(79)

Назва:	Сравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Інші назви:	Порівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв у структурах із квантовими точками й квантовими ямами, вирощених методом МОС-гідридної епітаксії Comparison of efficiency recombination of nonequilibrium carriers in structures with quantum dots and quantum wells, grown by mocvd
Автори:	Авксентьев, Ю. А. Ларкин, С. Ю. Парфенюк, П. В. Авксентьєв, Ю. А. Ларкін, С. Ю. Парфенюк, П. В. Avksentyev, Yu. Larkin, S. Parfenuk, P.
Ключові слова:	МОС-гидридная эпитаксия гетероструктуры квантовые точки квантовые ямы квантовая эффективность светодиод МОС-гідридна епітаксія гетероструктури квантові точки квантові ями квантова ефективність світлодіод MOCVD epitaxy heterostructures quantum dots quantum wells quantum efficiency the LED
Дата публікації:	2014
Видавництво:	НТУУ "КПИ"
Бібліографічний опис:	Авксентьев Ю. А. Сравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии / Ю. А. Авксентьев, C. Ю. Ларкин, П. В. Парфенюк // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 2(79). – С. 30–35. – Библиогр.: 19 назв.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10125
Розташовується у зібраннях:	Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 2(79)

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.