Skip navigation
DSpace logo
  1. ELAKPI
  2. Наукова періодика
  3. Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал
  4. 2014
  5. Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 2(79)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10125
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorАвксентьев, Ю. А.-
dc.contributor.authorЛаркин, С. Ю.-
dc.contributor.authorПарфенюк, П. В.-
dc.contributor.authorАвксентьєв, Ю. А.-
dc.contributor.authorЛаркін, С. Ю.-
dc.contributor.authorПарфенюк, П. В.-
dc.contributor.authorAvksentyev, Yu.-
dc.contributor.authorLarkin, S.-
dc.contributor.authorParfenuk, P.-
dc.date.accessioned2015-01-15T10:39:06Z-
dc.date.available2015-01-15T10:39:06Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationАвксентьев Ю. А. Сравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии / Ю. А. Авксентьев, C. Ю. Ларкин, П. В. Парфенюк // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 2(79). – С. 30–35. – Библиогр.: 19 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/10125-
dc.language.isoruuk
dc.subjectМОС-гидридная эпитаксияru
dc.subjectгетероструктурыru
dc.subjectквантовые точкиru
dc.subjectквантовые ямыru
dc.subjectквантовая эффективностьru
dc.subjectсветодиодru
dc.subjectМОС-гідридна епітаксіяuk
dc.subjectгетероструктуриuk
dc.subjectквантові точкиuk
dc.subjectквантові ямиuk
dc.subjectквантова ефективністьuk
dc.subjectсвітлодіодuk
dc.subjectMOCVD epitaxyen
dc.subjectheterostructuresen
dc.subjectquantum dotsen
dc.subjectquantum wellsen
dc.subjectquantum efficiencyen
dc.subjectthe LEDen
dc.titleСравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксииuk
dc.title.alternativeПорівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв у структурах із квантовими точками й квантовими ямами, вирощених методом МОС-гідридної епітаксіїuk
dc.title.alternativeComparison of efficiency recombination of nonequilibrium carriers in structures with quantum dots and quantum wells, grown by mocvduk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk
dc.format.pagerangeС. 30-35uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.source.nameElectronics and Communications: научно-технический журналuk
dc.subject.udc621.382:539.23uk
dc.description.abstractukУ статті наводяться результати порівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв в ІnGa квантових точках (QDs) і квантових ямах (QWs), що випромінюють у зеленому діапазоні спектра. Результати оптичних досліджень із використанням температурно-залежної фотолюмінесценції (PL) показали, що внутрішня квантова ефективність ІnGa квантових точок при кімнатній температурі була в 8,7 рази більше, ніж отримана для ІnGa квантових ям через кращу просторову локалізацію електрично заряджених часток. Результати вимірів спектрів фотолюмінесценції при різних рівнях лазерного збудження показали, що вплив поляризаційно-вбудованих електричних полів на рекомбінаційні процеси електрично заряджених часток у кантових точках мізерно малі в порівнянні із квантовими ямами. Отримані результати показують, що ІnGa квантові точки поліпшують ефективність люмінесценції світлодіодів у зеленому й блакитному спектральному діапазонах.uk
dc.description.abstractenThe article presents the results of comparing the efficiency of recombination of nonequilibrium carriers in the InGaN quantum dots (QDs) and quantum wells (QWs), emitting in the green region of the spectrum. Results of studies using optical temperaturedependent photoluminescence (PL) showed that the internal quantum efficiency of the InGaN quantum dots at room temperature was 8.7 times greater than that obtained for the InGaN quantum wells, due to better spatial localization of electrically charged particles. The results of measurements of photoluminescence spectra at different levels of laser excitation showed that the effect of polarization-built electric fields on recombination processes of electrically charged particles in Kant points are negligible compared to the quantum wells. The results show that the InGaN quantum dots improve the luminescence efficiency of the LEDs in green and blue spectral bands.uk
dc.description.abstractruВ статье приводятся результаты сравнения эффективности рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках (QDs) и квантовых ямах (QWs), излучающих в зеленом диапазоне спектра. Результаты оптических исследований с использованием температурно-зависимой фотолюминесценции (PL) показали, что внутренняя квантовая эффективность InGaN квантовых точек при комнатной температуре была в 8,7 раза больше, чем полученная для InGaN квантовых ям из-за лучшей пространственной локализации электрически заряженных частиц. Результаты измерений спектров фотолюминесценции при различных уровнях лазерного возбуждения показали, что влияние поляризационно-встроенных электрических полей на рекомбинационные процессы электрически заряженных частиц в кантовых точках ничтожно малы по сравнению с квантовыми ямами. Полученные результаты показывают, что InGaN квантовые точки улучшают эффективность люминесценции светодиодов в зеленом и голубом спектральных диапазонах.uk
dc.publisherНТУУ "КПИ"uk
Розташовується у зібраннях:Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 2(79)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
5.pdf314.53 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.