Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10957
Title: Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors
Other Titles: Аналіз одно- і трьохвимірного розподілу електричного потенціалу в польовому транзисторі на основі кремнієвого нанопроводу покритого порфірином
Анализ одно- и трехмерного распределения электрического потенциала в полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода покрытого порфирином
Authors: Bodilovska, D. S.
Боділовська, Д. С.
Бодиловская, Д. С.
Keywords: silicone nanowire
field-effect transistor
porphyrin
electric potential
кремнієвий нанопровід
польовий транзистор
порфірин
електричний потенціал
кремниевый нанопровод
полевой транзистор
порфирин
электрический потенциал
Issue Date: 2014
Publisher: НТУУ "КПИ"
Citation: Bodilovska D. S. Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors / D. S. Bodilovska // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 5(82). – С. 9–13. – Библиогр.: 6 назв.
URI: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10957
Appears in Collections:Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 5(82)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3.pdf4.42 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.