1. ELAKPI
2. Наукова періодика
3. Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал
4. 2014
5. Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 5(82)

Назва:	Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors
Інші назви:	Аналіз одно- і трьохвимірного розподілу електричного потенціалу в польовому транзисторі на основі кремнієвого нанопроводу покритого порфірином Анализ одно- и трехмерного распределения электрического потенциала в полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода покрытого порфирином
Автори:	Bodilovska, D. S. Боділовська, Д. С. Бодиловская, Д. С.
Ключові слова:	silicone nanowire field-effect transistor porphyrin electric potential кремнієвий нанопровід польовий транзистор порфірин електричний потенціал кремниевый нанопровод полевой транзистор порфирин электрический потенциал
Дата публікації:	2014
Видавництво:	НТУУ "КПИ"
Бібліографічний опис:	Bodilovska D. S. Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors / D. S. Bodilovska // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 5(82). – С. 9–13. – Библиогр.: 6 назв.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10957
Розташовується у зібраннях:	Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 5(82)

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.