Skip navigation
DSpace logo
  1. ELAKPI
  2. Наукова періодика
  3. Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал
  4. 2014
  5. Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 5(82)
Please use this identifier to cite or link to this item: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10957
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorBodilovska, D. S.-
dc.contributor.authorБоділовська, Д. С.-
dc.contributor.authorБодиловская, Д. С.-
dc.date.accessioned2015-03-17T14:25:52Z-
dc.date.available2015-03-17T14:25:52Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationBodilovska D. S. Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors / D. S. Bodilovska // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 5(82). – С. 9–13. – Библиогр.: 6 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/10957-
dc.language.isoenuk
dc.subjectsilicone nanowireen
dc.subjectfield-effect transistoren
dc.subjectporphyrinen
dc.subjectelectric potentialen
dc.subjectкремнієвий нанопровідuk
dc.subjectпольовий транзисторuk
dc.subjectпорфіринuk
dc.subjectелектричний потенціалuk
dc.subjectкремниевый нанопроводru
dc.subjectполевой транзисторru
dc.subjectпорфиринru
dc.subjectэлектрический потенциалru
dc.titleAnalysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistorsuk
dc.title.alternativeАналіз одно- і трьохвимірного розподілу електричного потенціалу в польовому транзисторі на основі кремнієвого нанопроводу покритого порфіриномuk
dc.title.alternativeАнализ одно- и трехмерного распределения электрического потенциала в полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода покрытого порфириномuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk
dc.format.pagerangePp. 9-13uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.source.nameElectronics and Communications: научно-технический журналuk
dc.subject.udc621.315.592uk
dc.description.abstractukУ даній роботі ми проаналізували розподіл електричного потенціалу в нелегованому польовому транзисторі на основі кремнієвого нанопроводу (ПТ з Si-НП) з конфігурацією нижнього затвору, покритого органічним з'єднанням – порфірином. Зокрема, ми вивчали одномірний розподіл електростатичного потенціалу вздовж різних осей ПТ з Si -НП для наступних досліджень характеристик переносу електронів.uk
dc.description.abstractenIn this paper, we have analyzed electric potential distributions in undoped silicon nanowire field-effect transistor (Si-NW FET) with a back-gate configuration covered by organic compound – porphyrin. Specifically we studied the 1D electrostatic potential along the different axes of the Si-NW FET for the subsequent investigation of electron transport characteristics.uk
dc.description.abstractruВ данной работе мы проанализировали распределение электрического потенциала в нелегированном полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода (ПТ с Si-НП) с конфигурацией нижнего затвора, покрытого органическим соединением – порфирином. В частности, мы изучали одномерное распределение электростатического потенциала вдоль различных осей ПТ с Si-НП для последующих изучений характеристик переноса электронов.uk
dc.publisherНТУУ "КПИ"uk
Appears in Collections:Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 5(82)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3.pdf4.42 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.