Skip navigation
DSpace logo
  1. ELAKPI
  2. Наукова періодика
  3. Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал
  4. 2014
  5. Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 5(82)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10988
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorЛяхова, Н. М.-
dc.contributor.authorОсінський, В. І.-
dc.contributor.authorСеменовська, О. В.-
dc.contributor.authorСуховій, Н. О.-
dc.contributor.authorТимофєєв, В. І.-
dc.contributor.authorФалєєва, О. М.-
dc.contributor.authorLyahova, N. M.-
dc.contributor.authorOsinskiy, V. I.-
dc.contributor.authorSemenovskaya, E. V.-
dc.contributor.authorSuhoviy, N. O.-
dc.contributor.authorTimofeev, V. I.-
dc.contributor.authorFaleeva, E. M.-
dc.contributor.authorЛяхова, Н. Н.-
dc.contributor.authorОсинский, В. И.-
dc.contributor.authorСеменовская, Е. В.-
dc.contributor.authorСуховий, Н. О.-
dc.contributor.authorТимофеев, В. И.-
dc.contributor.authorФалеева, Е. М.-
dc.date.accessioned2015-03-18T15:38:02Z-
dc.date.available2015-03-18T15:38:02Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationМоделювання темплетних наноструктур / Н. М. Ляхова, В. І. Осінський, О. В. Семеновська, Н. О. Суховій, В. І. Тимофєєв, О. М. Фалєєва // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 5(82). – С. 32–36. – Библиогр.: 9 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/10988-
dc.language.isoukuk
dc.subjectнаноструктуриuk
dc.subjectтемплетиuk
dc.subjectдислокаціїuk
dc.subjectрозузгодження ґраткиuk
dc.subjectсполуки GaNuk
dc.subjectnanostructuresen
dc.subjecttempleten
dc.subjectdislocationsen
dc.subjectlattice mismatchen
dc.subjectGaN compoundsen
dc.subjectнаноструктурыru
dc.subjectтемплетыru
dc.subjectдислокацииru
dc.subjectрассогласование решеткиru
dc.subjectсоединения GaNru
dc.titleМоделювання темплетних наноструктурuk
dc.title.alternativeModeling of templet nanostructuresuk
dc.title.alternativeМоделирование темплетных наноструктурuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk
dc.format.pagerangeС. 32-36uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.source.nameElectronics and Communications: научно-технический журналuk
dc.subject.udc621.315.592.2uk
dc.description.abstractukМета даних досліджень – знаходження оптимальних параметрів наноутворень для зменшення проростаючих дислокацій в темплетних наноструктурах. У даній роботі досліджено вплив розмірів темплетів на щільність дислокацій зміщення наноструктур, встановлена залежність висоти проростаючої дислокації від її радіусу, а також досліджено вплив розузгодження ґратки наноструктури на умовно-бездислокаційний рельєф темплетних напівпровідникових наноутворень.uk
dc.description.abstractenThe purpose of paper is to find the optimal parameters for decreasing dislocations in templet nanostructures. The estimation method of dislocation-free relief germination of templet nanostructures is developed. The influence of templet size on the dislocation density of nanostructures is studied. The dependence of the dislocation height on its radius is determined. The influence of the nanostructures lattice mismatch on conditional relief dislocation of templet semiconductor nanostructures is studied.uk
dc.description.abstractruЦелью данных исследований является нахождение оптимальных параметров для уменьшения прорастающих дислокаций в темплетных наноструктурах. Разработана методика оценивания прорастания условно-бездислокационного рельефа темплетных наноструктур. Исследовано влияние темплетный размеров на плотность дислокаций смещения темплетных наноструктур, установлена зависимость высоты прорастающей дислокации от ее радиуса, а также исследовано влияние рассогласования решетки наноструктуры на условно-бездислокационных рельеф темплетный полупроводниковых нанообразований.uk
dc.publisherНТУУ "КПИ"uk
Розташовується у зібраннях:Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 5(82)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
8.pdf348.65 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.