Радіаційна стійкість кремнієвого фотоперетворювача

Гетьман, Андрій Володимирович; Душейко, Михайло Григорович; Іващук, А. В.; Фадєєв, М. С.; Якименко, Ю. І.; Getman, A. V.; Dushejko, M. G.; Ivashuk, A. V.; Fadieiev, M. S.; Yakimenko, Yu. I.; Гетман, А. В.; Душейко, М. Г.; Иващук, А. В.; Фадеев, М. С.; Якименко, Ю. И.

Повний запис метаданих

Поле DC	Значення	Мова
dc.contributor.author	Гетьман, Андрій Володимирович	-
dc.contributor.author	Душейко, Михайло Григорович	-
dc.contributor.author	Іващук, А. В.	-
dc.contributor.author	Фадєєв, М. С.	-
dc.contributor.author	Якименко, Ю. І.	-
dc.contributor.author	Getman, A. V.	-
dc.contributor.author	Dushejko, M. G.	-
dc.contributor.author	Ivashuk, A. V.	-
dc.contributor.author	Fadieiev, M. S.	-
dc.contributor.author	Yakimenko, Yu. I.	-
dc.contributor.author	Гетман, А. В.	-
dc.contributor.author	Душейко, М. Г.	-
dc.contributor.author	Иващук, А. В.	-
dc.contributor.author	Фадеев, М. С.	-
dc.contributor.author	Якименко, Ю. И.	-
dc.date.accessioned	2016-09-07T14:49:25Z	-
dc.date.available	2016-09-07T14:49:25Z	-
dc.date.issued	2015	-
dc.identifier.citation	Радіаційна стійкість кремнієвого фотоперетворювача / А. В. Гетьман, А. В. Гетьман, А. В. Іващук, М. С. Фадєєв, Ю. І. Якименко // Електроніка та зв'язок : науково-технічний журнал. – 2015. – Т. 20, № 2(85). – С. 23–26. – Бібліогр.: 5 назв.	uk
dc.identifier.uri	https://ela.kpi.ua/handle/123456789/17524	-
dc.language.iso	uk	uk
dc.subject	сонячний елемент	uk
dc.subject	радіаційна стійкість	uk
dc.subject	час життя носіїв заряду	uk
dc.subject	кремнієва пластина	uk
dc.subject	solar cell	en
dc.subject	photo-voltaic converter	en
dc.subject	radiation hardness	en
dc.subject	carrier lifetime	en
dc.subject	silicon wafer	en
dc.subject	солнечный элемент	ru
dc.subject	радиационная стойкость	ru
dc.subject	время жизни носителей заряда	ru
dc.subject	кремниевая пластина	ru
dc.title	Радіаційна стійкість кремнієвого фотоперетворювача	uk
dc.title.alternative	Радиационная устойчивость кремниевого фотопреобразователя	uk
dc.title.alternative	Radiation resistance of silicon solar cell	uk
dc.type	Article	uk
thesis.degree.level	-	uk
dc.format.pagerange	С. 23-26	uk
dc.status.pub	published	uk
dc.publisher.place	Київ	uk
dc.source.name	Електроніка та зв'язок : науково-технічний журнал	uk
dc.subject.udc	621.315	uk
dc.description.abstractuk	В даній роботі представлені результати розробки та проведення дослідження кремнієвих сонячних елементів космічного застосування. У сфері розробки енергосистем для космічних апаратів зараз активно розвиваються сонячні елементи на основі А3В5 багатошарових структур, проте для невисоких орбіт 700 - 800 км, доцільним залишається застосування кремнієвих сонячних елементів. Дослідження на радіаційну стійкість проводились на сонячних елементах із структурою n+ - p - p+. Кремнієві сонячні елементи піддавались опроміненню електронами з енергію 7МеВ. Щільність потоку прискорених електронів складала 3,0E+8 см-2с-1 в атмосфері. Накопичена доза радіації складала 100 крад (Si). Отримані результати порівнювались із попередніми експериментами проведеними в лабораторії.	uk
dc.description.abstracten	In that paper were presented results of the development and research of the silicon space solar cells. Nowadays the A3B5 multilayer solar cells is actively developed in the sphere of constructing of the spacecraft power supply systems, as well as for the low-orbit applications the silicon solar cells usage is still expedient. Research was performed on the solar cells with the n+ - p - p+ structure. Silicon solar cells were exposed to the electron flux with energy 7 MeV. The accelerated electron flux density was 3·108 cm-2s-1 in the atmosphere. Absorbed radiation dose was up to 100 krad (Si).	uk
dc.description.abstractru	В данной работе представлены результаты разработки и проведения исследования кремниевых солнечных элементов космического применения. В сфере разработки энергосистем для космических аппаратов сейчас активно развиваются солнечные элементы на основе А3В5 многослойных структур, однако для невысоких орбит 700 - 800 км, целесообразным остается применение кремниевых солнечных элементов. Исследования на радиационную стойкость проводились на солнечных элементах со структурой n+ - p - p+. Кремниевые солнечные элементы подвергались облучению электронами с энергию 7МеВ. Плотность потока ускоренных электронов составляла 3.0E + 8 см-2 с-1 в атмосфере. Накопленная доза радиации составляла 100 крад (Si). Полученные результаты сравнивались с предыдущими экспериментами проведенными в лаборатории.	uk
dc.publisher	НТУУ «КПІ»	uk
Розташовується у зібраннях:	Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал, Т. 20, № 2(85)

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.