1. ELAKPI
2. Матеріали конференцій, семінарів і т.п.
3. Комп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку – КМХТ-2016
4. Секція 3 «Комп'ютерне моделювання в хімії, комп'ютерні методи для синтезу нових речовин»

Назва:	Положение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2)
Інші назви:	Положення остівного рівня Ge(3d5/2) в залежності від конфігурації адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)(4×2) Core level position Ge(3d5/2) in dependence of the configuration adsorption Ge complexes on the face of Si(001)(4×2)
Автори:	Ткачук, О. И Теребинская, М. И. Лобанов, В. В. Ткачук, О. І. Теребінська, М. І. Лобанов, В. В. Tkachuk, O. Terebinska, M. Lobanov, V.
Ключові слова:	гетеропереходы остовные уровни буклированная поверхность димеризованная поверхность гетеропереходи остівні рівні букльована поверхня димеризована поверхня heterojunctions core levels buckled surface surface dimers
Дата публікації:	2016
Видавництво:	НТУУ «КПІ ім. Ігоря Сікорського»
Бібліографічний опис:	Ткачук, О. И. Положение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2) / О. И. Ткачук, М. И. Теребинская, В. В. Лобанов // Комп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку – КМХТ-2016 : збірник наукових статей П’ятої міжнародної науково-практичної конференції, 18-20 травня 2016 року, м. Київ. – Київ : НТУУ «КПІ ім. Ігоря Сікорського», 2016. – С. 171-176. – Бібліогр.: 6 назв.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	https://ela.kpi.ua/handle/123456789/18316
Розташовується у зібраннях:	Секція 3 «Комп'ютерне моделювання в хімії, комп'ютерні методи для синтезу нових речовин»

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.