Skip navigation
DSpace logo
  1. ELAKPI
  2. Наукова періодика
  3. Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал
  4. 2016
  5. Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал, Т. 21, № 5(94)
Please use this identifier to cite or link to this item: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/20187
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorАртюхова, О. В.-
dc.contributor.authorПисаренко, Леонід Дмитрович-
dc.contributor.authorArtiuhova, Oleksandra V.-
dc.contributor.authorPysarenko, Leonid Dmytrovych-
dc.contributor.authorАртюхова, А. В.-
dc.contributor.authorПисаренко, Леонид Дмитриевич-
dc.date.accessioned2017-08-03T08:19:41Z-
dc.date.available2017-08-03T08:19:41Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationАртюхова О. В. Аналіз моделей мемристора для програм схемотехнічного проектування / О. В. Артюхова, Л. Д. Писаренко // Електроніка та зв'язок : науково-технічний журнал. – 2016. – Т. 21, № 5(94). – С. 6–13. – Бібліогр.: 12 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/20187-
dc.language.isoukuk
dc.sourceЕлектроніка та зв'язок : науково-технічний журнал, Т. 21, № 4(95)uk
dc.subjectмемристорuk
dc.subjectMicroCapuk
dc.subjectмоделюванняuk
dc.subjectгістерезисuk
dc.subjectзалежність опору від заряду і магнітного потокуuk
dc.subjectмемристивністьuk
dc.subjectmemristoruk
dc.subjectMicroCapuk
dc.subjectmodelinguk
dc.subjecthysteresisuk
dc.subjectdependence of the resistance of the charge and the magnetic fluxuk
dc.subjectmemristiveuk
dc.subjectмемристорuk
dc.subjectMicroCapuk
dc.subjectмоделированиеuk
dc.subjectгистерезисuk
dc.subjectзависимость сопротивления от заряда и магнитного потокаuk
dc.subjectмемристивностьuk
dc.titleАналіз моделей мемристора для програм схемотехнічного проектуванняuk
dc.title.alternativeAnalysis memristor model for circuit design softwareuk
dc.title.alternativeАнализ моделей мемристора для программ схемотехнического проектированияuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.levelmasteruk
dc.format.pagerangeС. 6-13uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.20535/2312-1807.2016.21.5.81896-
dc.subject.udc621.385.69uk
dc.description.abstractukДля побудови пристроїв на основі мемристорів запропоновано низку математичних моделей. У статті зроблено огляд існуючих моделей та порівняльний аналіз для практичного моделювання. Проведено експериментальні дослідження в середовищі MicroCap. Надано рекомендації щодо використання моделей.uk
dc.description.abstractenTo build memristor-based devices offers a number of mathematical models. The article provides an overview of existing models and comparative analysis for a practical simulation. Experimental studies in MicroCap environment. provides recommendations on the use of models.uk
dc.description.abstractruДля построения устройств на основе мемристоров предложен ряд математических моделей. В статье сделан обзор существующих моделей и сравнительный анализ для практического моделирования. Проведены экспериментальные исследования в среде MicroCap. Даны рекомендации по использованию моделей.uk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
Appears in Collections:Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал, Т. 21, № 5(94)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
EiS2016-5_1Artukhova.pdf618.72 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.