Skip navigation
DSpace logo
  1. ELAKPI
  2. Наукова періодика
  3. Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал
  4. 2016
  5. Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал, Т. 21, № 5(94)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/20192
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorLevon, Olena O.-
dc.contributor.authorЛевон, О. О.-
dc.contributor.authorЛевон, Е. А.-
dc.date.accessioned2017-08-03T11:10:22Z-
dc.date.available2017-08-03T11:10:22Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationLevon O. Simulation of transient processes in low-frequency channel of the semiconductor regulated compensator / O. Levon // Електроніка та зв'язок : науково-технічний журнал. – 2016. – Т. 21, № 5(94). – С. 38–42. – Бібліогр.: 7 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/20192-
dc.language.isoenuk
dc.sourceЕлектроніка та зв'язок : науково-технічний журнал, Т. 21, № 4(95)uk
dc.subjectpower electronicsuk
dc.subjectreactive power controluk
dc.subjectactive power filteruk
dc.subjectthyristor binary compensatoruk
dc.subjectсилова електронікаuk
dc.subjectконтроль реактивної потужностіuk
dc.subjectсиловий активний фільтрuk
dc.subjectдвомостовий тиристорний випрямлячuk
dc.subjectсиловая электроникаuk
dc.subjectконтроль реактивной мощностиuk
dc.subjectсиловой активный фильтрuk
dc.subjectдвухмостовой тиристорный выпрямительuk
dc.titleSimulation of transient processes in low-frequency channel of the semiconductor regulated compensatoruk
dc.title.alternativeМоделювання перехідних процесів у низькочастотному каналі напівпровідникового регульованого компенсатораuk
dc.title.alternativeМоделирование переходных процессов в низкочастотном канале полупроводникового регулируемого компенсатораuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.levelmasteruk
dc.format.pagerangePp. 38-42uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.20535/2312-1807.2016.21.5.81891-
dc.subject.udc621.314.26uk
dc.description.abstractukУ статті розглянуто моделювання перехідних процесів в низькочастотному каналі напівпровідникового двоканального регульованого компенсатора неактивних складових повної потужності. Запропоновано методи прогнозного керування двоканальним компенсатором, які дозволяють забезпечити високі динамічні характеристики компенсатора при зміні характеру навантаження. Представлені результати моделювання, зроблені висновки.uk
dc.description.abstractenThe simulation of transient processes in low-frequency channel of the semiconductor two-channel regulated compensator of inactive components of total power is presented in given article. New control methods for two-channel compensator that allow to provide a high performance of the converter in the changing character of the load are proposed. Conclusions of obtained results are presented.uk
dc.description.abstractruВ статье рассмотрено моделирование переходных процессов в низкочастотном канале полупроводникового двухканального регулируемого компенсатора неактивних составляющих полной мощности. Предложены методы прогнозного управления двухканальным компенсатором, которые позволяют обеспечить высокие динамические характеристики компенсатора при изменении характера нагрузки. Представлены результаты моделирования, сделаны выводы.uk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
Розташовується у зібраннях:Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал, Т. 21, № 5(94)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
EiS2016-5_6Levon.pdf802.06 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.