Нанотемплети для гетероструктур нітридів III групи

Суховій, Ніна Олегівна

Повний запис метаданих

Поле DC	Значення	Мова
dc.contributor.advisor	Осінський, Володимир Іванович	-
dc.contributor.author	Суховій, Ніна Олегівна	-
dc.date.accessioned	2018-11-09T17:12:10Z	-
dc.date.available	2018-11-09T17:12:10Z	-
dc.date.issued	2018	-
dc.identifier.citation	Суховій, Н. О. Нанотемплети для гетероструктур нітридів III групи : дис. … канд. техн. наук : 05.27.01 – твердотільна електроніка / Суховій Ніна Олегівна. – Київ, 2018. – 130 с.	uk
dc.identifier.uri	https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24998	-
dc.language.iso	uk	uk
dc.subject	нанотемплети	uk
dc.subject	гетероструктури	uk
dc.subject	нітриди ІІІ групи	uk
dc.subject	малодефектність	uk
dc.subject	анодований оксид алюмінію	uk
dc.subject	nanotemplate	uk
dc.subject	heterostructures	uk
dc.subject	nitrides of the III group	uk
dc.subject	little defect	uk
dc.subject	anodized aluminum oxide	uk
dc.subject	photodetectors	uk
dc.subject	нанотемплеты	uk
dc.subject	гетероструктуры	uk
dc.subject	нитриды III группы	uk
dc.subject	малодефектность	uk
dc.subject	анодированный оксид алюминия	uk
dc.title	Нанотемплети для гетероструктур нітридів III групи	uk
dc.type	Thesis Doctoral	uk
dc.format.page	130 с.	uk
dc.publisher.place	Київ	uk
dc.subject.udc	621.382+621.383]:546.2(0.43.3)	uk
dc.description.abstractuk	Дисертаційна робота присвячена комплексному дослідженню застосувань і розробок технологічних рішень щодо формування нанотемплетів для гетероструктур ІІІ-нітридів, в тому числі з неполярною кристалографічною орієнтацією, щодо забезпечення малодефектності і можливості одержання наноструктур (наностержнів, квантових точок, тощо) для їх практичної реалізації в оптоелектронних інтегральних схемах. В ході досліджень для нітрид галію неполярної (112̅0) орієнтації з використанням нанотемплетів анодованого оксиду алюмінію на Si(100) одержано щільність дислокацій 3х106 см-2, що дає змогу формувати InGaN/GaN КЯ і КТ з підвищеним вмістом індію. Згідно запропонованої спрощеної математичної моделі, встановлено, що може бути забезпечена низька щільність дислокацій при будь-якій глибині пір при радіусах пір < 10 нм, одержання яких за допомогою нанотемплетів анодного оксиду алюмінію дуже проблематично. Проте, для MOCVD епітаксії були експериментально визначені термодинамічні параметри (температура, тиск) та прекурсори, при яких на поверхні сапфіру утворюються нанопори з радіусом <10нм. На одержаних темплетах нанотекстурованого сапфіру була показана можливість в одному технологічному циклі вирощувати гетероепітаксійні шари ІІІ-нітридів з низькою щільністю дислокацій (~ 5 х 106 см-2). Ключові слова: нанотемплети, гетероструктури, нітриди ІІІ групи, малодефектність, анодований оксид алюмінію.	uk
Розташовується у зібраннях:	Дисертації (вільний доступ) Дисертації (МЕ)

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.