https://ela.kpi.ua/handle/123456789/26223| Назва: | Уточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазона |
| Автори: | Сингх, Индра Вижай Алам, Мухмад Шах Армстронг, Г. А. |
| Ключові слова: | частичное перекрытие затвора неквази-статический кремний-на-диэлектрике малошумящий усилитель низкомощный |
| Дата публікації: | 2013 |
| Видавництво: | НТУУ «КПИ» |
| Бібліографічний опис: | Сингх, И. В. Уточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазона / И. В. Сингх, М. Ш. Алам, Г. А. Армстронг // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2013. – Т. 56, № 6 (612). – C. 3–18. – Библиогр.: 23 назв. |
| Опис: | Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347013060010 |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/26223 |
| DOI: | https://doi.org/10.20535/S0021347013060010 |
| Розташовується у зібраннях: | Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 56, № 6 (612) |
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2013-06-03.pdf | Первая страница | 56.97 kB | Adobe PDF | ![]() Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.