Уточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазона

Сингх, Индра Вижай; Алам, Мухмад Шах; Армстронг, Г. А.

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Сингх, Индра Вижай	-
dc.contributor.author	Алам, Мухмад Шах	-
dc.contributor.author	Армстронг, Г. А.	-
dc.date.accessioned	2019-02-04T18:09:52Z	-
dc.date.available	2019-02-04T18:09:52Z	-
dc.date.issued	2013	-
dc.identifier.citation	Сингх, И. В. Уточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазона / И. В. Сингх, М. Ш. Алам, Г. А. Армстронг // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2013. – Т. 56, № 6 (612). – C. 3–18. – Библиогр.: 23 назв.	ru
dc.identifier.uri	https://ela.kpi.ua/handle/123456789/26223	-
dc.description	Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347013060010	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.source	Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2013, Т. 56, № 6 (612)	ru
dc.subject	частичное перекрытие затвора	ru
dc.subject	неквази-статический	ru
dc.subject	кремний-на-диэлектрике	ru
dc.subject	малошумящий усилитель	ru
dc.subject	низкомощный	ru
dc.title	Уточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазона	ru
dc.type	Article	ru
dc.format.pagerange	С. 3-18	ru
dc.publisher.place	Киев	ru
dc.identifier.doi	https://doi.org/10.20535/S0021347013060010	-
dc.subject.udc	621.356.356	ru
dc.description.abstractru	Предложена уточненная модель полевого SOI МОП транзистора с частичным перекрытием затвора по 90 нм технологии, которая учитывает неквази-статические и внешние паразитные эффекты. Полученные Y-параметры модели до 20 ГГц хорошо совпадают с результатами расчета в 2D ATLAS (ошибка ~5%), тогда как результаты квази-статической предикативной модели существенно отличаются (>20%). Рассчитанные граничная частота fT и максимальная частота колебаний fmax равны ~108 и ~130 ГГц соответственно. Определен коэффициент шума ≈2,8 дБ при IDS ≈ 0.64 мА, VDS = 1 В и Rge = 3 Ом. Малошумящий усилитель (МШУ) для работы в диапазоне 5,8 ГГц, рассчитанный с помощью предложенной модели, показал хорошее согласование входных (S11 ≈ –15 дБ) и выходных (S22 ≈ –16 дБ) характеристик, и коэффициента усиления S21 ≈ 15 дБ. Предложен коэффициент оценки качества МШУ FoMLNA, включающий коэффициент усиления мощности G, коэффициент шума F и потребление по постоянному току Pdc. Проведено сравнение различных МШУ при помощи FoMLNA и предложенной модели, которое показало практически трехкратное улучшение параметров рассмотренного усилителя.	ru
dc.publisher	НТУУ «КПИ»	ru
Appears in Collections:	Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 56, № 6 (612)