Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/28035
Title: Моделювання електричних і теплових характеристик InGaAs транзистора типу Nanowire FET
Authors: Мушаровський, Олександр Олександрович
Advisors: Гільчук, Андрій Володимирович
Keywords: InGaAs
Gate-all-around
Nanowire
MOSFET
Issue Date: May-2019
Publisher: КПІ ім. Ігоря Сікорського
Citation: Мушаровський, О. О. Моделювання електричних і теплових характеристик InGaAs транзистора типу Nanowire FET : магістерська дис. : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Мушаровський Олександр Олександрович. – Київ, 2019. – 80 с.
URI: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/28035
Appears in Collections:Магістерські роботи
Магістерські роботи (ФЕС)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Musharovskyi_magistr.pdf3.09 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.