https://ela.kpi.ua/handle/123456789/28035| Назва: | Моделювання електричних і теплових характеристик InGaAs транзистора типу Nanowire FET |
| Автори: | Мушаровський, Олександр Олександрович |
| Науковий керівник: | Гільчук, Андрій Володимирович |
| Ключові слова: | InGaAs Gate-all-around Nanowire MOSFET |
| Дата публікації: | тра-2019 |
| Видавництво: | КПІ ім. Ігоря Сікорського |
| Бібліографічний опис: | Мушаровський, О. О. Моделювання електричних і теплових характеристик InGaAs транзистора типу Nanowire FET : магістерська дис. : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Мушаровський Олександр Олександрович. – Київ, 2019. – 80 с. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/28035 |
| Розташовується у зібраннях: | Магістерські роботи Магістерські роботи (ФЕС) |
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Musharovskyi_magistr.pdf | 3.09 MB | Adobe PDF |  Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.