Високотемпературні термоелектричні елементи на основі багатокомпонентних безкисневих сполук

Цигода, Владислав Владиславович

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Петровський, Віталій Ярославович	-
dc.contributor.author	Цигода, Владислав Владиславович	-
dc.date.accessioned	2020-09-29T09:41:37Z	-
dc.date.available	2020-09-29T09:41:37Z	-
dc.date.issued	2020	-
dc.identifier.citation	Цигода, В. В. Високотемпературні термоелектричні елементи на основі багатокомпонентних безкисневих сполук : дис. … канд. техн. наук : 05.27.01 - твердотільна електроніка / Цигода Владислав Владиславович. – Київ, 2020. – 228 с.	uk
dc.identifier.uri	https://ela.kpi.ua/handle/123456789/36455	-
dc.language.iso	uk	uk
dc.subject	термоэлектрические свойства	uk
dc.subject	термопары керамические	uk
dc.subject	перколяция	uk
dc.subject	thermoelectric properties	uk
dc.subject	ceramic thermocouples	uk
dc.subject	percolation	uk
dc.title	Високотемпературні термоелектричні елементи на основі багатокомпонентних безкисневих сполук	uk
dc.type	Thesis Doctoral	uk
dc.format.page	228 с.	uk
dc.publisher.place	Київ	uk
dc.subject.udc	621.362:621.762.5	uk
dc.description.abstractuk	Дисертацію присвячено встановленню впливу технологічних факторів на мікроструктуру та властивості нових провідних матеріалів на основі шаруватих анізотропних композитів типу «ізолятор-провідник» у складі Si3N4-карбіди перехідних металів, і використання цих матеріалів в термоелектричних функціональних елементах, що працюють при високих температурах (до 1100 °С). Встановлено, що найбільш перспективними з таких композитів є композиції Si3N4- ZrC, Si3N4-HfC, в них утворюються такі фази, як SiC, Hf2CN и Zr2CN. Показано, що ключовим моментом для збільшення коефіцієнту ТЕРС композитів, що розглядаються, є реакції in situ, що протікають за участю Н2О при визначених температурах гарячого пресування (утворення Si2ON2), або незначні (0,25-1%) добавки нітриду бору в склад провідного кластеру. Встановлено, що продукти хімічної взаємодії між провідниковою фазою, діелектричною матрицею та середовищем пресування, такі як SiC та FeSi2, зсувають поріг протікання до області малих концентрацій введеної провідникової фази на 5-10% і збільшують питомий опір резистивного кластеру в 102 – 105 разів. Вперше досліджено термоелектричні властивості композитів n-типу: Si3N4-ZrC, Si3N4-HfC; Si3N4-ZrC, Si3N4-WC, Si3N4- TiB2, Si3N4-TaC, Si3N4-TaN та p-типу: Si3N4-C, Si3N4-B4C. Показано, що як термоелектроди можуть використовуватись кластерні перколяційні структури, а залежність термоелектрорушійної сили від концентрації термоелектричної добавки не описується тим самим математичним апаратом, що і залежність електропровідності від концентрації.	uk
Appears in Collections:	Дисертації (вільний доступ) Дисертації (МЕ)