Skip navigation
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/39141
Назва: Оценка потерь MOSFET транзисторов в ключевых ультразвуковых генераторах
Автори: Мовчанюк, А. В.
Вистизенко, Е. В.
Ключові слова: MOSFET
ключовий режим
статичні втрати
динамічні втрати
MOSFET
a switch mode
static losses
dynamic losses
MOSFET
ключевой режим
статические потери
динамические потери
Дата публікації: 2015
Видавництво: КПІ ім. Ігоря Сікорського
Бібліографічний опис: Мовчанюк, А. В. Оценка потерь MOSFET транзисторов в ключевых ультразвуковых генераторах / Мовчанюк А. В., Вистизенко Е. В. // Міжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції 16–22 березня 2015 р., м. Київ, Україна / КПІ ім. Ігоря Сікорського, РТФ. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2015. – С. 60–62. – Бібліогр.: 1 назва.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): https://ela.kpi.ua/handle/123456789/39141
Розташовується у зібраннях:Секція 2. Проектування, технологія та експлуатація радіоелектронної техніки. Ультразвукова техніка

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
RTPSAS_2015_s2_t03.pdf394.27 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.