Skip navigation
DSpace logo
  1. ELAKPI
  2. Матеріали конференцій, семінарів і т.п.
  3. Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи (2015)
  4. Секція 2. Проектування, технологія та експлуатація радіоелектронної техніки. Ультразвукова техніка
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/39141
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorМовчанюк, А. В.-
dc.contributor.authorВистизенко, Е. В.-
dc.date.accessioned2021-02-04T13:25:50Z-
dc.date.available2021-02-04T13:25:50Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationМовчанюк, А. В. Оценка потерь MOSFET транзисторов в ключевых ультразвуковых генераторах / Мовчанюк А. В., Вистизенко Е. В. // Міжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції 16–22 березня 2015 р., м. Київ, Україна / КПІ ім. Ігоря Сікорського, РТФ. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2015. – С. 60–62. – Бібліогр.: 1 назва.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/39141-
dc.language.isoukuk
dc.sourceМіжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 16–22 березня 2015 р., м. Київ, Українаuk
dc.subjectMOSFETuk
dc.subjectключовий режимuk
dc.subjectстатичні втратиuk
dc.subjectдинамічні втратиuk
dc.subjectMOSFETuk
dc.subjecta switch modeuk
dc.subjectstatic lossesuk
dc.subjectdynamic lossesuk
dc.subjectMOSFETuk
dc.subjectключевой режимuk
dc.subjectстатические потериuk
dc.subjectдинамические потериuk
dc.titleОценка потерь MOSFET транзисторов в ключевых ультразвуковых генераторахuk
dc.typeArticleuk
dc.format.pagerangeС. 60–62uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.description.abstractukПроаналізовані основні співвідношення для розрахунку втрат в ключових транзисторних каскадах на MOSFET транзисторах. Розглянуті параметри MOSFET транзистора що впливають на динамічні втрати. Приведена методика розрахунку втрат в MOSFET транзисторах при роботі в ключовому режимі.uk
dc.description.abstractenAnalyzed the basic value for calculating the loss of switch stages in MOSFET transistors. Considered MOSFET transistor parameters affecting the dynamic losses. The methodology of calculation of losses in the MOSFET transistor when operating in switch mode. Shows an example of the calculation.uk
dc.description.abstractruПроанализированы основные соотношения для расчета потерь в ключевых транзисторных каскадах на MOSFET транзисторах. Рассмотрены параметры MOSFET транзистора влияющие на динамические потери. Приведена методика расчета потерь в MOSFET транзисторах при работе в ключевом режиме.uk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
Розташовується у зібраннях:Секція 2. Проектування, технологія та експлуатація радіоелектронної техніки. Ультразвукова техніка

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
RTPSAS_2015_s2_t03.pdf394.27 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.