Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/46503
Title: Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника
Authors: Кичак, В. М.
Слободян, I. В.
Вовк, В. Л.
Keywords: аморфний напiвпровiдник
халькогенiднi склоподiбнi напiвпровiдники
радiацiйна стiйкiсть
комiрка пам’ятi
доза опромiнення
y – кванти
плiвковий польовий транзистор
перехiд Шотткi
amorphous semiconductor
chalcogenide glassy semiconductors
radiation resistance
memory cell
irradiation dose
y - quanta
film transistor
Schottky junction
аморфный полупроводник
халькогенидние стеклообразние полупроводники
радиационная стойкость
ячейка памяти
доза облучения
y - кванты
пленочный полевой транзистор
переход Шоттки
Issue Date: 2020
Publisher: КПІ ім. Ігоря Сікорського
Citation: Кичак, В. М. Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника / Кичак В. М., Слободян I. В., Вовк В. Л. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2020. – Вип. 80. – С. 79-84. – Бібліогр.: 11 назв.
URI: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/46503
DOI: https://doi.org/10.20535/RADAP.2020.80.79-84
Appears in Collections:Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 80

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
VKPIRR-2020_80_79-84.pdf619.17 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.