1. ELAKPI
2. Наукова періодика
3. Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць
4. 2020
5. Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 80

Назва:	Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника
Автори:	Кичак, В. М. Слободян, I. В. Вовк, В. Л.
Ключові слова:	аморфний напiвпровiдник халькогенiднi склоподiбнi напiвпровiдники радiацiйна стiйкiсть комiрка пам’ятi доза опромiнення y – кванти плiвковий польовий транзистор перехiд Шотткi amorphous semiconductor chalcogenide glassy semiconductors radiation resistance memory cell irradiation dose y - quanta film transistor Schottky junction аморфный полупроводник халькогенидние стеклообразние полупроводники радиационная стойкость ячейка памяти доза облучения y - кванты пленочный полевой транзистор переход Шоттки
Дата публікації:	2020
Видавництво:	КПІ ім. Ігоря Сікорського
Бібліографічний опис:	Кичак, В. М. Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника / Кичак В. М., Слободян I. В., Вовк В. Л. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2020. – Вип. 80. – С. 79-84. – Бібліогр.: 11 назв.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	https://ela.kpi.ua/handle/123456789/46503
DOI:	https://doi.org/10.20535/RADAP.2020.80.79-84
Розташовується у зібраннях:	Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 80

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.