Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/6543
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБілокінь, С. О.-
dc.contributor.authorBilokon, S.-
dc.contributor.authorБилоконь, С. А.-
dc.date.accessioned2014-01-19T12:02:07Z-
dc.date.available2014-01-19T12:02:07Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationБілокінь С. О. Визначення фізико-механічних характеристик поверхонь виробів наноелектроніки методом склерометрії / Білокінь С. О. // Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування : збірник наукових праць. – 2013. – Вип. 46. – С. 112–117. – Бібліогр.: 5 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/6543-
dc.language.isoukuk
dc.sourceВісник НТУУ «КПІ». Приладобудування: збірник наукових працьuk
dc.subjectатомно-силова мікроскопіяuk
dc.subjectмікротвердістьuk
dc.subjectзносостійкістьuk
dc.subjectнаноелектронікаuk
dc.subjectсклерометріяuk
dc.subjectatomic-force microscopyuk
dc.subjectmicrohardnessuk
dc.subjectwearproofnessuk
dc.subjectnanoelectronicsuk
dc.subjectsclerometryuk
dc.subjectатомно-силовая микроскопияuk
dc.subjectмикротвердостьuk
dc.subjectизносостойкостьuk
dc.subjectнаноэлектроникаuk
dc.subjectсклерометрияuk
dc.titleВизначення фізико-механічних характеристик поверхонь виробів наноелектроніки методом склерометріїuk
dc.title.alternativeDetermination of physical and mechanical descriptions of surfaces of wares nanoelectronics by method of sclerometryuk
dc.title.alternativeОпределение физико-механических характеристик поверхностей изделий наноэлектроники методом склерометрииuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk
dc.format.pagerangeС. 112-117uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subject.udc620.178.151.6uk
dc.description.abstractukПоказана перспективність методу атомно-силової мікроскопії, як єдиного методу дослідження мікрогеометричних параметрів та фізико-механічних характеристик (в нанометровому діапазоні) в одному циклі сканування за допомогою кремнієвого зонду, модифікованого вуглецевим покриттям. Описана методика та наведені дослідження мікротвердості та зносостійкості тонких покриттів SiO2, HfO2 та Au (мікротвердість, відповідно, 9,02 ГПа, 7,8 ГПа, 0,34 ГПа; зносостійкість, відповідно, 18,3 у.о.; 23,1 у.о.; 31,6 у.о.). В результаті порівняння з довідниковими даними визначено, що мікротвердість поверхневого шару матеріалу більша за мікротвердість в глибині матеріалу.uk
dc.description.abstractenPerspective of method of atomic-force microscopy is shown, as an only method of research microgeometrical parameters and physical and mechanical descriptions (in a nanometer range) in one loop of scan-out. Researches were conducted by means of the silicic probe modified to carbon coverages. Described methodology and the brought researches over microhardness and wearproofness of thin coverages SiO2, HfO2 and Au (microhardness, accordingly, 9,02 GPа, 7,8 GPа, 0,34 GPа; wearproofness, accordingly, 18,3; 23,1; 31,6). As a result of comparing to reference data certainly, that microhardness of superficial layer of material anymore its microhardness at material.uk
dc.description.abstractruПоказана перспективность метода атомно-силовой микроскопии, как единственного метода исследования микрогеометрических параметров и физико-механических характеристик (в нанометровом диапазоне) в одном цикле сканирования с помощью кремниевого зонда, модифицированного углеродным покрытиям. Описана методика и приведены результаты исследования микротвердости и износостойкости тонких покрытий SiO2, HfO2 и Au (микротвердость, соответственно, 9,02 ГПа, 7,8 ГПа, 0,34 ГПа; износостойкость, соответственно, 18,3 у.е.; 23,1 у.е.; 31,6 у.е.). В результате сравнения со справочными данными определено, что микротвердость поверхностного слоя материала больше его микротвердости в глубине материала.uk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
Appears in Collections:Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування: збірник наукових праць, Вип. 46

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
r7_1.pdf838.27 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.