Кондрахін, М. В.Гільчук, А. В.2024-05-302024-05-302024Кондрахін, М. В. Вирощування тонких плівок кремнію з дихлорсилану (SiH2Cl2 ) методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску / М. В. Кондрахін, А. В. Гільчук // Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики : матерiали XXII Всеукраїнської науково-практичної конференцiї студентiв, аспiрантiв та молодих вчених, [Київ], 13−17 травня 2024 р. / КПІ ім. Ігоря Сікорського. – Київ, 2024. – С. 25-28.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/66981У даній статті був проведений літературний огляд та аналіз вирощування тонких плівок кремнію методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску з дихлорсилану (ДХС). Розглянуто, як працює метод ХОГФ, а також показана модель обрахунку швидкості росту кремнію за допомогою дихлорсилану й можливість удосконалення цієї моделі.ukКремнійХімічне осадження з газової фазиДихлорсиланArticleС. 25-28541.1