Прищепа, М. М.Лозовий, С. В.Prishchepa, M. M.Lozovyi, S. V.Прищепа, Н. М.Лозовой, С. В.2014-06-212014-06-212012Прищепа, М. М. Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги / М. М. Прищепа, С. В. Лозовий // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2012. – № 50. – С. 105–113. – Бібліогр.: 5 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/8009ukіон-селективний польовий транзистор (ІСПТ)йонний склад розчинупорогова напругаion-selective field-effect transistor(ISFET)ion solution compositionthreshold voltageион-селективный полевой транзистор (ИСПТ)ионный состав растворапороговое напряжениеІон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напругиIon-selective field-effect transistors. Threshold voltage calculationИон-селективные полевые транзисторы. Расчет порогового напряженияArticleС. 105-113621.3.049.774