Якименко, Юрій ІвановичОсадчий, Євгеній Андрійович2021-07-122021-07-122021Осадчий, Є. А. КМДН-інвертор з довжинами каналів транзисторів субмікрометрового діапазону : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Осадчий Євгеній Андрійович. – Київ, 2021. – 47 с.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42314Дипломна робота виконана на 46 сторінках, що містять вступ, 4 розділи, 20 ілюстрацій, 14 джерел посилань. Об’єктом дослідження є КМДН-інвертор на транзисторах з субмікронними каналами. Предметом є порівняння результатів дослідження за відомими методами. Мета: проаналізувати існуючі конструкції та способи реалізації КМДН-інверторів з субмікронними каналами. У вступі розглянуто теоретичні основи роботи класичного МДН-транзистора та КМДН-інвертора. Перший розділ присвячений процесу виготовлення та електричним вимірюванням багатозатворного КМДН-транзистору з midgap матеріалом затвору. У другому розділі проведено моделювання впливу high-k діелектрика та діелектричних матеріалів на глибокі субмікрометрові МДН-транзистори. У третьому розділі досліджено процес виготовлення польових транзисторів з нанопровідними нанопроволоками Шотткі середньої щільності та проаналізовано їх властивості. Четвертий розділ присвячений дослідженню транзисторів з ультра тонким midgap затвором на підкладкці кремній на ізоляторі, моделюванню та розгляду його електричних характеристик.ukmidgap затворКМДН-інверторкремній на ізоляторізбіднений кремнійhigh-k діелектрикBachelor Thesis47 с.