Балашов, К. Є.Кліменко, В. А.Шмирьова, Л. М.Мамикін, С. В.Семікіна, Т. В.2023-03-302023-03-302020Дослідження п’єзофототронного ефекту в плівкових структурах А2В6 / Балашов К. Є., Кліменко В. А., Шмирьова Л. М., Мамикін С. В., Семікіна Т. В. // Електронна та Акустична Інженерія : науково-технічний журнал. – 2020. – Т. 3, № 3. – С. 21-25. – Бібліогр.: 10 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/54130В роботі представлено результати дослідження п’єзо фототронного ефекту в гетеро структурах на основі плівок групи А2В6. Об’єктом дослідження є діодні структури на основі CdS, котрі вирощені методом термічного випаровування на гнучкій молібденовій підкладинці. Зверху на плівки CdS був нанесений тонкий шар виродженого напівпровідника CuxS, що дозволило сформувати діодну бар’єрну структуру. Для дослідження фотодіодних властивостей було зроблено виміри вольт-амперних характеристик (ВАХ) в темновому та світловому режимах. З отриманих ВАХ було отримано, що між напівпровідниковими плівками сформовано випрямляючий бар’єр і структура має діодну характеристику. Величина зворотнього струму збільшується при освітленні. Для дослідження п’єзофототронного ефекту до діодних структур було прикладено тиск. Зміна тиску, який прикладався до зразка виконувалась за допомогою важелів з масою 10, 20, 50, 100 та 200 грам. Струм по прямій та зворотній гілці ВАХ показав збільшення як в темновому режимі вимірів, так і при освітленні, що говорить про наявність п’єзофототронного ефекту в даному гетеропереході. Розраховані значення чутливості до тиску показали, що струм по зворотній та прямій гілці ВАХ змінюється в різних інтервалах. Найбільша чутливість в діапазоні 0–77,31 спостерігається для зворотного струму без освітлення. При додатковому освітленні чутливість до тиску по зворотній гілці ВАХ зменшується та складає 0–7,73. Усі зроблені виміри показали наявність п’єзофототронного ефекту, що дозволяє створювати на основі цього гетеропереходу нові функціональні прилади для виміру тиску та величини освітленості.ukдіодні структуринапівпровідникові плівкивольт-амперні характеристикип’єзофототронний ефектdiode structuressemiconductor filmsvolt-ampere characteristicspiezoelectric effectArticleС. 21-25https://doi.org/10.20535/2617-0965.2020.3.3.20020353.082.73, 622.377.6, 666.655, 681.11.032.32, 681.586.35, 681.586.480000-0002-7328-70870000-0002-6035-55110000-0001-5497-41400000-0002-9427-324X0000-0002-6182-4703