Джеин, ПратикДжоши, А. М.2018-06-182018-06-182018Джейн, П. Анализ влияния расширенной конфигурации n-МОП транзистора на параметры 4x1 мультиплексора / П. Джейн, А. М. Джоши // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2018. – Т. 61, № 3 (669). – C. 163–172. – Библиогр.: 31 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/23484Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018030044ruрасширенный n-МОП транзистор со статическим порогомST-ATNMOSрасширенный p-МОП транзистор с закороченным участком затвор-исток и n-МОП структуройASG-S PMOS-NMOSмощность утечкизадержкаАнализ влияния расширенной конфигурации n-МОП транзистора на параметры 4x1 мультиплексораArticleС. 163-172https://doi.org/10.20535/S0021347018030044621.382.3