Иванов, В. Н.Ковтонюк, В. М.Раевская, Н. С.Николаенко, Юрий ЕгоровичIvanov, V. N.Kovtoniuk, V. M.Raievskaia, N. S.Nikolaenko, Yu. E.2016-09-012016-09-012009Особенности технологи и конструирования InP-диодов Ганна / В. Н. Иванов, В. М. Ковтонюк, Н. С. Раевская, Ю. Е. Николаенко // Техника и приборы СВЧ. – 2009. – № 1. – С. 31–33.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/17468ruдиод Ганнафосфид индияGunn diodeindium phosphideОсобенности технологи и конструирования InP-диодов ГаннаArticleС. 31-33621.382.029.64